台积电突破低温金刚石散热技术！300W/m・K 热导率破解芯片散热难题【沃尔德 四方达 】

近日，国立成功大学微电子研究所的曾永华教授团队与台积电等的研究人员合作，提出了一种适用于低温（450 ℃）的微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）金刚石薄膜制备技术，其热导率可达到300 W/m·K以上。

该研究成果题为 “MPCVD diamond thin films as heat spreaders for back end of the line (BEOL) silicon chip fabrication”，并已发表于《Diamond & Related Materials》。

针对低温条件下金刚石薄膜制备中晶粒尺寸小、晶界密集导致热导率下降的问题，研究团队通过引入均匀分布的3 nm金刚石晶种，在硅衬底上成功构建了连续且致密的金刚石薄膜。实验表明，适量的石墨浆添加能够促进金刚石种子晶粒的生长，并防止种子在等离子体中被刻蚀，从而提高了薄膜的质量和热导率。

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