$中瓷电子(SZ003031)$ 中瓷电子在半导体业务上的布局主要围绕第三代半导体领域展开，通过并购重组和技术研发，形成了从材料到器件的全产业链布局，以下是其主要布局方向：

1.氮化镓射频芯片与器件

· 并购博威公司：2023年收购博威公司73%股权，整合其氮化镓基站射频芯片设计制造能力，成为国内氮化镓基站功放领域市场占有率第一的企业，产品技术与质量达到国内领先、国际先进水平，主要应用于5G通信基站及点对点通信设备的信号发射与接收系统。

· 技术升级与拓展：博威公司积极推进5G-A、6G、星链通信等新一代通信系统用射频芯片与器件的关键技术突破及研发工作，储备了相关领域的关键技术，为未来通信技术升级做准备。

2.碳化硅功率模块

· 并购国联万众：收购国联万众94.6%股权，获取碳化硅功率模块技术，其产品包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，已批量应用于比亚迪等车企，随着新能源汽车市场的增长，碳化硅功率模块的市场需求持续提升。

· 高压领域布局：国联万众计划攻关高压碳化硅功率模块领域，目标在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对硅基IGBT功率模块的部分替代。

3.精密陶瓷零部件

· 半导体设备配套：开发氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，如陶瓷加热盘、静电卡盘等，应用于刻蚀机、涂胶显影机、光刻机等半导体关键设备中，解决国产半导体设备的“卡脖子”问题，相关产品核心技术指标已达到国际同类产品水平，并批量应用于国产半导体设备。

4.产能扩张与研发投入

· 募投项目推进：2023年重组后配套募资25亿元投入氮化镓微波产线等四大项目，2024年在建工程同比增长53.46%，持续扩大第三代半导体产线产能，为业务增长提供支撑。

· 研发投入持续加码：研发费用率连续三年维持在10%以上高位，2024年研发投入2.9亿元，重点聚焦氮化镓射频芯片和碳化硅模块的技术研发，强化核心竞争力。

综上，中瓷电子通过并购整合、技术研发和产能扩张，形成了覆盖氮化镓射频芯片、碳化硅功率模块及精密陶瓷零部件的第三代半导体全产业链布局，旨在实现国产替代并把握5G通信、新能源汽车等领域的市场机遇。