$天马新材(BJ838971)$ 如果说GPU（显卡）的运行速度决定AI的输出能力，那么HBM就是决定GPU数据处理速度和正确率的关键。HBM是High Bandwidth Memory的缩写，即高带宽存储器，目前HBM的主流堆栈式结构是将常见的DRAM（动态内存）芯片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（Through Silicon Via, TSV）技术连接，从而显著增加带宽并且减小体积。由于DRAM芯片的密集堆叠，高速运算带来的热量集中在较小的空间，器件散热便成为硬件升级的头号难题。
今年3月，韩国SK海力士宣布已向客户提供“HBM4的12层”样品，并计划下半年开始量产，该封装系统采用环氧树脂+填料组合来解决器件机械强度和散热问题。而随着高带宽内存（HBM）技术向更高堆叠层数（如HBM4的16层）和更大带宽（1.2TB/s）演进，封装材料的散热、信号完整性及可靠性势必面临更严峻的挑战。
氧化铝是兼顾成本与性能的电子封装主力填料。但常规球形氧化铝因存在α射线导致软错误率高（α射线即铀/钍含量，其存在会干扰芯片，导致数据错误，尤其是在高密度封装中，该问题会更加凸显）；球形度差进而引发热机械失效（填充不均匀，孔隙率高，热机械应力集中）；介电性能不匹配高频应用（Dk/Df参数与信号延迟和损耗直接相关，这对材料设计、表面改性和工艺优化等提出复杂要求）等问题，难以满足HBM封装需求。河南天马新材料股份有限公司（天马新材）自主开发的Low-α射线球形氧化铝通过四大技术突破解决上述痛点：
1、超低放射性：铀/钍含量＜5ppb；
2、极致球形度：熔融态表面张力球化工艺实现高填充密度，粘度降低；
3、高热导率：显著缓解3D堆叠热失控风险；
4、介电调控：抑制高频信号损耗。
天马新材依托二十余年高端精细氧化铝粉体材料的研发和生产经验，通过优化工艺开发更高性能填料，助力先进封装技术迭代。2025年，公司将重点推进研发创新与能力建设，重点优化low-α射线球形氧化铝、高纯纳米氧化铝、第三代半导体封装用氧化铝、陶瓷膜用高纯氧化铝等高端材料，并充分验证创新产品的产业化情况。加强研发创新投入及核心技术研究，布局新兴领域，拓展业务边界，研发更多高端产品引领行业发展方向。