High-NA EUV，全球最先进光刻机供应链唯一的中国企业 — ficonTEC

先说结论，ficonTEC通过与Trumpf的合作，进入ASML最先进的High-NA EUV供应链中，或者说是上游的上游

一、Trumpf公司介绍

Trumpf成立于1923年，总部位于德国迪青根（Ditzingen），是一家在工业激光器、机床和制造解决方案领域全球领先的公司。它的激光产品广泛应用于金属切割、焊接、增材制造，而最令人瞩目的则是其在半导体光刻领域的角色。

Trumpf的工业激光器业务规模庞大，年营收数十亿欧元，在全球激光市场长期稳居第一。很多人不知道的是，它同时还是ASML EUV光刻机的幕后英雄。

二、Trumpf与ASML的合作

ASML的EUV光刻机之所以能够诞生，核心就是极紫外光源的突破。其原理是：将锡液滴打入激光焦点，通过高功率CO₂激光器照射产生等离子体，最终释放出波长13.5nm的EUV光。

而这台能量极高、稳定性极强的CO₂激光器，正是由Trumpf提供。每台EUV光刻机里，Trumpf的激光器价值高达数百万甚至上千万欧元，是整机最贵的单体组件之一，大约占20%左右。

三、High-NA EUV带来的更高要求

随着摩尔定律推进，ASML正在研发新一代 High-NA EUV 光刻机（数值孔径NA从0.33提升到0.55）。这项升级意味着更高分辨率，但同时也对光源亮度和稳定性提出了巨大挑战。

对Trumpf来说，这意味着：

激光功率需要进一步提升，以保证足够的EUV光子产出。激光稳定性必须显著提高，以满足更高精度的图形转印。激光系统的复杂度和价值量也会随之上升。

换句话说，High-NA EUV不仅是ASML的技术跨越，也是整条产业链的突破（蔡司&Trumpf）。

四、Trumpf与ficonTEC的合作

1. 光耦合（Free-space → 光路/光学模块）

• 现状：TRUMPF 的 CO₂ 激光器工作在 10.6 μm 波长，采用自由空间传输，通过镜面（反射镜、聚焦单元）传到 Cymer 的锡滴靶区。

High-NA 新要求：

• 功率更高（20–30 kW 甚至以上），对 镜面耦合损耗和 反射面污染控制提出更高要求；

• 每一个微小耦合误差都可能放大为 能量不均匀/打靶抖动，导致 EUV 输出不稳； • 因此需要 更高精度的光束整形、波前控制，以及自动化对准/校正。

对耦合环节的挑战：损耗 <1% 的极限控制 + 镜面镀膜耐高热 + 在运行中实时自校正。

2. 光纤传输

• 注意点：CO₂ 激光（10.6 μm）并不适合用常规光纤传输（损耗巨大、容易烧毁），所以 EUV 源驱动激光基本不用光纤，而是走 自由空间光路。

• 但是：TRUMPF 在其他业务（高功率半导体激光器、光纤激光器）里会用到光纤耦合和传输。

• 若未来光源部分子模块用光纤传输（比如种子激光或部分放大链），High-NA 的功率需求会对光纤提出：

• 更大模场面积（LMA Fiber）、低非线性；

• 高功率处理能力（防止光纤端面烧蚀）； • 更稳定的耦合效率监控。

3. 光芯片测试 / 光学组件测试

High-NA EUV 的高功率、高重复率带来 测试与验证的新门槛：

• 激光光束质量测试：

• 要求更精密的 波前传感器、功率分布测量（确保焦点击中锡滴的稳定性）。 • 高功率光学元件测试：

• 需要在更高热负载下验证 反射镜、透镜镀膜的耐受性，加大对 光学组件烧蚀阈值的实验要求。

• 实时在线监测：

• 在量产 EUV 光刻机运行中，需要嵌入更先进的 in-situ 光学测试系统，实时检测激光功率、脉冲能量、指向误差。

• 芯片级光子学器件（如果 TRUMPF 在硅光/VCSEL 等领域扩展）：

当然，目前随着ASML的要求越来越高，Trumpf的技术也需要逐步提升，这也就倒逼着ficonTEC去进行技术迭代

有人问我ficonTEC会不会被国产替代。我想问下，国内有哪一家公司，目前能见到所谓的High-NA EUV长什么样吗？

见都见不到，没有任何参数，没有任何实验数据，谈何替代呢？