SK海力士(000660.KS) 凭借 MR-MUF 封装技术解决 12 层堆叠翘曲,几乎吃透了 英伟达(NVDA) 的早期红利。
底层财务真相是:HBM 对 Wafer 的消耗率是 DDR5 的 2-3 倍。在总产能受限下,这种产能的“结构性虹吸”不仅让 HBM 享受定制化高溢价,也托底了传统 DRAM 的价格。
但真正的防御塔不在前台。随着向 3D 甚至 HBM4 演进,检测成本呈指数级上升,科磊(KLAC) 和 ASML 作为“良率收税人”,才是这波 Capex 浪潮中最确定的抗周期标的。而在端侧推理市场,规避了 EUV 限制的 HBF(高宽带闪存)正在开辟一个比 HBM 更大的增量市场,这也是国产 NAND 架构超车的核心腹地。
你认为在这个被 AI 重构的估值模型里,台积电的 CoWoS 产能护城河还能维持几年的超额利润?评论区见。