功率半导体区分

功率半导体整体是一个非常大的类别，可以分为集成电路和分立器件两类，在集成电路里属于模拟芯片（主要是电源管理芯片），而在分立器件下有你说的这几种。

按市场规模，晶体管（全控，moset市场空间最大，igbt其次，这两个加上小类三极管bjt，或者可以理解为moset+bjt＝lgbt）＞二极管（不可控，低于1v，电流驱动）占比第三＞晶闸管小类（半可控，1000v以上，电压驱动）。

半控型器件是通过控制信号只能控制其导通，而不能直接控制其关断的电力电子器件。全控型器件在控制精度和响应速度上更具优势，广泛应用于现代电力电子系统；半控型器件则在特定高压、大电流场景仍有应用价值。

简而言之，MOSFET偏高频，IGBT偏高压。高频在电源控制和通信领域更适用，比如电子电器，高压在功率输出更适用，比如新能源。

sic和gan都是材料，其中SiC IGBT和SiC MOSFET有结构差异。SiC其实是可以做IGBT的，看不到的原因是制备成本太高。SiC的Mosfet可以做到6500V耐压，已经覆盖现在IGBT耐压水平了，且Mosfet的芯片结构比IGBT简单。

功率半导体如果选10家企业进行比较，三巨头闻泰，华润微，士兰微，加上轨交方面的时代电气，但以上四家非第一主业。

细分功率IC圣邦股份，二极管扬杰科技，晶闸管捷捷微电，MOS（高频优势）$新洁能(SH605111)$ ，IGBT（高压优势）$斯达半导(SH603290)$ 。

sic龙头$天岳先进(SH688234)$