市净率5.6倍、存储中涨幅最少的北京君正，是估值陷阱，还是价值洼地（模糊计算其2026年各业务营收利润）

北京君正，在收购美国ISSI之前，没什么可以看的，花了72亿收购之后，这几年已经基本很好融合，我理解是一笔非常划算且对其至关重要的生意，72亿，一张高端入场券，目前看非常划算，现在到了2026年，想72亿买这样的公司，基本上不可能了。

我的原则还是追求模糊的正确，以下数据只是估计，追求精确数据的不用往下看了。

北京君正的业务分为3块，分别是存储芯片、计算芯片和模拟互联芯片，分别占比60+%，20—30%，10%。

存储芯片是北京君正的业务支柱，其涨价逻辑最为清晰。

1.存储芯片：2025年Q4已对中小客户提价，2026年Q1预计全面普涨。行业预测车规DRAM价格涨幅可能超70%（美光指引），且公司先进制程产品（如16nm/18nm DDR4/LPDDR4）放量将推动量价齐升。

从北京君正的预告情况看，2025年公司营收是47.4亿元，前三季度是34.37亿，那么四个季度分别是10.6、11.89、11.87、13.03亿。

能够看出，四季度增速一般，也就10%，这里原因主要是四季度刚开始调价，车规级传导也比较慢一些，大头还在2026年。

继续拆解，君正存储芯片中大概50%是dram,车规级利基型dram国内第一，全球第六。简单拍一下，按照今年涨价幅度100%（可以换成你认为的预测涨幅，这个只是定性分析、模糊预测）计算，营收为47.4*0.6*0.5*2，为28.44亿。

君正2021年净利率17%，今年这样的话，按照2倍净利率34%计算，这部分利润为28.44*0.34=9.66亿。

存储芯片中大概35%是sram，车规级sram全球市占率超过20%、全球第一。

这部分我们就当它不涨价，还是维持15%的正常增速，47.4*0.6*0.35*1.15,为11.5亿，

按照净利率15%计算，2026年利润为1.73亿。

存储芯片大概15%为flash，按照今年涨幅60%，47.4*0.6*0.15*1.6=6.83亿，

净利率按照30%计算，净利润为6.83*0.3=2.05亿。

以上加起来为9.66+1.73+2.05=13.44亿。

2.计算芯片：受益于AI端侧需求（如AI眼镜、机器人），部分IPC芯片已涨价18%-40%，且新品T42（算力4TOPS）将于2026年投片，带动收入增长。大概按照增速30%计算，

47.4*0.3*1.3=18.5亿。考虑给15%的净利润率，

18.5*0.15=2.78亿。

3.模拟与互联芯片：需求稳健，主要跟随汽车电动化趋势，价格波动较小，增长来自销量提升。这块不深入讨论。按照2026年5个亿营收，因为这块毛利率最高，净利润按照30%计算，贡献1.5亿利润。

3个加起来13.44+2.78+1.5=17.72亿净利润。

考虑到北京君正“计算+存储+模拟”协同，且长期享受高pe，2026年给60-70倍pe，

那么市值对应1063亿-1240亿。对应股价220-256元。

2024年2月以来，北京君正最低点是41.08元，目前143.8，涨幅3.5倍。

兆易创新最低点54.86，目前314.88，涨幅5.7倍。

普冉股份最低点29.4，目前306，涨幅10.4倍。

江波龙最低点60.34，目前336，涨幅5.57倍。

德明利最低29.47，目前271.8，涨幅9.22倍。

佰维存储最低26.52，目前187.28，涨幅7.06倍。

东芯股份最低14，目前134.65，涨幅9.62倍。

香农芯创最低22.83，目前168.56，涨幅7.38倍。

以上可以看出，普冉股份、东芯股份、德明利基本上已经实现了10倍股。

在一轮波澜壮阔的存储牛市当中，这是基本条件，也是第一阶段的基本目标。后续怎么走，要看后面公司实实在在的业绩，没有业绩，一点也不行。

所以目前涨幅落后的股票，就需要持续拿出业绩来证明自己。

北京君正说目前涨幅最低的，到底是洼地？还是陷阱，不知道，各位自行判断、持续跟踪。

计划长期跟踪这家公司，同时跟踪车规级存储涨价的传导情况，以上数据自行替换，如果涨价超预期或者不达预期，就要相应调整。

存储里能打的原厂不多，兆易创新、北京君正、普冉股份等等，都可以高看一眼。$北京君正(SZ300223)$ $兆易创新(SH603986)$ $普冉股份(SH688766)$

持续关注吧。

以上没有考虑北京君正正在研发的3d dram

"问：公司有没有想过像更高附加值的产品转型？服务器储存芯片，手机，Pc，等消费电子储存芯片？这些才是大市场。（来自: 深交所互动易）

答：您好！公司利基型DRAM、SRAM、Flash等产品主要应用于汽车、工业医疗等利基型市场，公司也会积极寻找新的应用方向。公司面向AI存储领域的3D DRAM产品正在研发中。谢谢！"

北京君正（300223）于12月30日通过互动平台回应投资者时明确，其3D DRAM技术正处于积极研发阶段，研发进展符合公司预期。该技术作为面向AI应用的高性能存储解决方案，旨在通过垂直堆叠设计突破传统2D DRAM的带宽与功耗瓶颈，显著提升存储密度并降低延迟，以满足智能汽车、AIoT设备及高性能计算等领域对高速、大容量存储的迫切需求。 公司强调，3D DRAM相比HBM（高带宽内存）更具定制化优势，能提供更优的带宽和能效支持，目前已吸引部分客户关注，但市场整体仍处于探索期，短期内暂无量产计划。 这一布局与北京君正“计算+存储+模拟”的完整技术战略深度协同，其NPU（神经网络处理器）与3D DRAM结合的CUBE近存计算方案，正通过2.5D/3D封装技术实现“算存一体”，为端侧AI设备提供低功耗、高带宽的终极解决方案，进一步巩固公司在车规级存储和AI视觉处理领域的领先地位。