20250820--磷化铟概念梳理

一、逻辑驱动

1、磷化铟（InP）是第三代化合物半导体的典型代表，凭借其高电子迁移率（8500 cm²/V・s）、直接带隙特性和优异的光电转换效率，成为支撑光通信、激光雷达、AI 算力等领域的核心材料。其技术壁垒主要体现在大尺寸衬底制备（6 英寸及以上）和异质外延生长，全球市场长期由日本住友、美国 AXT 等企业垄断。
2、2025 年国内技术突破显著：湖北九峰山实验室联合云南鑫耀半导体实现6 英寸磷化铟衬底量产，晶圆平整度误差＜1.5μm，位错密度＜800/cm²，成本较 3 英寸工艺降低 40%，推动国产光芯片市场份额从 15% 提升至 30% 以上。该突破标志着我国在化合物半导体领域从 “跟跑” 向 “并跑” 迈进。

二、产业链及对应概念股

1、上游:材料制备与核心装备

1.1 衬底环节：云南鑫耀半导体（云南锗业子公司）是A股唯一量产磷化铟衬底的企业，2025年2-4英寸产能15万片，6英寸