AI产业链再爆重磅合作——全球氮化镓（GaN）龙头英诺赛科正式披露，已与谷歌签订实际供货协议，核心产品将切入谷歌AI服务器与数据中心电源系统。这不仅是中国第三代半导体企业首次跻身谷歌核心供应链，更标志着800V高压直流（HVDC）电源架构的行业渗透进入加速期，AI电源赛道的“真金白银”时代已然到来。
一、合作直击核心需求：GaN器件适配谷歌算力扩张野心
1. 具体合作内容推测：高压电源链的全面渗透
尽管公告未披露详细的合作产品以及订单量，但英诺赛科与谷歌的合作并非泛泛而谈，而是精准匹配谷歌AI硬件的核心痛点。谷歌当前主力的Ironwood TPU（v7）单芯片峰值功耗约900W；结合行业测算及谷歌机柜架构升级趋势，AI Hypercomputer集群单机柜功率已突破90kW，传统硅基电源方案早已不堪重负。可推测此次供货的潜在核心产品有：
700V/650V增强型GaN FET器件：用于图腾柱无桥PFC和高频DC-DC转换器，能量转换效率超99%，较传统硅器件损耗降低10-15%；
集成驱动与保护功能的GaN电源IC：直接为Ironwood TPU芯片提供精准供电，响应速度较同类产品提升50%；
高功率密度图腾柱PFC模组：功率密度达130W/in³，完美适配谷歌液冷服务器的紧凑空间设计。
这些产品将全面覆盖谷歌AI服务器的“一次电源→二次电源→三次电源”三级架构，从电网交流电转换到芯片终端供电，构建全链路高效供电体系。
2.市场潜力：三年有望斩获百亿营收，净利润冲30亿

谷歌的算力扩张规划为英诺赛科提供了广阔增长空间。结合谷歌公开投资规划及行业披露，2026-2028年预计新建12个超大规模AI数据中心（含海外布局，据财联社2025年10月14日谷歌全球数据中心投资报道测算）；结合数据中心规模及AI服务器部署密度，新增AI服务器部署量预计达150万台，配套电源市场规模超200亿美元（含电源芯片、模组等全链路，综合中金报告、IDC数据测算，与行业整体增长趋势一致）。
结合行业预测，英诺赛科作为全球GaN龙头（2023年营收市占率33.7%、出货量市占率42.4%），凭借8英寸IDM量产优势，有望在谷歌供应链中占据30%-40%份额。叠加富瑞、招银国际等机构预测的“AI服务器GaN市场50%份额”，英诺赛科2027年在该领域的营收有望突破80亿元，按照25%-30%的净利润率计算，潜在净利润可达27-30亿元。
更关键的是，谷歌正加速推进800V HVDC架构试点，而英诺赛科已为英伟达800V架构提供全链路GaN解决方案，技术复用性极强。一旦谷歌800V架构2027年规模化商用，英诺赛科的供货规模将进一步翻倍。
二、合作速度印证行业趋势：第三代半导体成AI电源刚需

英诺赛科与谷歌从技术导入到签订供货协议，仅用了不到9个月时间，这在通常需要12-18个月的服务器电源行业堪称“神速”。背后折射出的是AI数据中心对第三代半导体的迫切需求，也预示着AI电源的发展将持续加速。
1. 技术成熟度打破合作壁垒
AI电源行业曾有“认证周期长、导入难度大”的痛点，但英诺赛科的8英寸GaN量产技术已实现95%良率，单位成本较6英寸方案降低30%，彻底解决了GaN器件“价高量少”的行业难题。其产品通过谷歌严苛的可靠性测试，连续运行故障率低于0.001%，技术成熟度与国际巨头英飞凌、纳微半导体持平。
2. 算力爆发倒逼电源技术迭代
随着GPT-4等大模型训练需求激增，AI服务器单机柜功率从2023年的50kW跃升至2026年的300kW，2028年将向1MW级迈进。传统硅基电源的效率瓶颈（最高95%）和体积劣势，已无法满足“高密度、低损耗”的核心需求。而GaN器件的高频特性（开关频率>1MHz）和高压优势，能完美适配800V架构，使端到端效率提升至98.5%以上，单1GW数据中心年节电超千万度。
这种刚需之下，第三代半导体在AI电源中的渗透率将加速提升。行业预测显示，GaN器件在AI服务器电源中的占比将从2025年的15%，飙升至2027年的40%+，2028年有望突破55%，成为绝对主流技术。
三、800V架构双线落地：重塑产业链，这些公司直接受益
英诺赛科与谷歌的合作，与去年8月英伟达发布的800V HVDC电源架构形成“双轮驱动”，标志着800V已从技术概念走向规模化商用，整个AI电源产业链将迎来价值重估。
1. 合作的行业里程碑意义
确立技术标准：谷歌+英伟达两大巨头均选择GaN作为800V架构核心器件，彻底终结了“硅基升级”与“第三代半导体”的路线之争；
降低部署门槛：英诺赛科的量产能力使GaN器件成本快速下降，800V电源系统的TCO（总拥有成本）较传统方案降低20%，加速行业普及；
国产替代提速：中国企业首次在高端AI电源核心器件领域实现突破，打破了台系厂商在电源模组、国际巨头在功率半导体的双重垄断。
2. 产业链核心受益公司

（1）上游材料与设备：筑牢基础

硅基GaN衬底/外延：太龙股份（子公司博思达，提供8英寸硅基GaN外延片方案，英诺赛科核心合作伙伴）、环球晶圆（全球硅片龙头，供应8英寸硅片，用于英诺赛科自主外延）；
碳化硅（SiC）衬底：天岳先进（专注SiC衬底，为英诺赛科供应8英寸半绝缘型SiC衬底，用于GaN射频器件，与AI电源用硅基GaN无关）、Wolfspeed（国际SiC龙头）；
生产设备：中微公司（刻蚀机已通过英诺赛科8英寸产线验证）、北方华创（磁控溅射设备用于GaN器件制造）。
（2）中游功率器件与模组：直接放量

GaN/SiC器件：纳微半导体（全球GaN模组龙头，绑定微软数据中心）、斯达半导（SiC模块切入谷歌供应链，适配800V整流环节）；
电源模组：mgmt（大陆唯一进入英伟达TOP3的电源厂商，同步适配谷歌800V方案，2026年AI电源订单预计50亿元）、台达电子（全球AI服务器电源市占35%-40%，谷歌核心电源模组供应商）。（中恒电气Q1大概率出货hvdc）
结语

英诺赛科与谷歌的合作，本质是AI算力爆发与第三代半导体技术成熟的必然结果。当1MW级机柜成为标配，800V+GaN的组合将成为AI数据中心的“电力心脏”，整个产业链的价值将向核心器件与高集成度模组集中。
未来三年，AI电源赛道将呈现“技术迭代加速、国产份额提升、盈利拐点显现”的三重趋势，而率先绑定头部客户、掌握核心技术的企业，将成为这场电力革命的最大赢家。
以上，来自转发，分享，学习。仅供参考$英诺赛科(02577)$ $中恒电气(SZ002364)$$Wolfspeed(WOLF)$