光引发剂/PAG在存储芯片的具体应用

$久日新材(SH688199)$ $南大光电(SZ300346)$ $彤程新材(SH603650)$

在AI强劲需求带动下，2025年存储芯片价格大涨，其中DDR4 16Gb涨幅高达1800%，DDR5 16Gb涨幅高达500%，512Gb NAND闪存涨幅高达300%。光引发剂用在这些芯片上用的是什么型号？给大伙掰开了揉碎了说清楚。

以下是DDR4 16Gb、DDR5 16Gb、512Gb 3D NAND量产中主流光引发剂/PAG型号、添加比例与核心供应商，数据为行业量产通用范围，具体以厂商工艺配方为准 。

一、DDR4 16Gb（28nm及以上，KrF为主）

- 光引发剂：自由基型1173、TPO、907；PAG三芳基硫鎓盐（如TPS·PF6）

- 添加比例：自由基0.5%-3%；PAG0.3%-1.5%

- 核心供应商：久日新材、强力新材；东京应化、三井化学

- 用途：接触孔、金属线图形化，适配成熟制程成本与良率

二、DDR5 16Gb（14nm-7nm，ArFi为主）

- PAG：二芳基碘鎓盐（如DPI·TfO）、含氟PAG（如三氟甲基磺酸酯类）

- 添加比例：0.8%-2.0%，强调酸扩散可控

- 核心供应商：东京应化、JSR、信越化学；南大光电、北京科华

- 用途：高密存储单元、字线/位线，控制CD均匀性与LER

三、512Gb 3D NAND（≥128层，KrF/ArF）

- PAG：三芳基硫鎓盐、二芳基碘鎓盐（适配厚胶与阶梯刻蚀）

- 添加比例：0.6%-2.0%，兼顾灵敏度与图形保真

- 核心供应商：东京应化、信越、彤程新材（科华）

- 用途：多层膜图形化、高深宽比孔/沟道，保障套刻精度

四、关键选型要点

- DDR4选自由基型+传统PAG，DDR5用高灵敏度PAG，3D NAND厚胶优先负载化PAG

- 性能核心：感光效率、波长匹配、酸扩散系数决定分辨率与良率

- 供应格局：高端PAG以日/美为主，国内在KrF/ArF逐步突破，EUV-PAG仍处研发验证

#存储芯片概念拉升，香农芯创大涨#