最近除了hbm堆叠，还有一个有趣的技术变化被大家忽视了，就是nor flash在从平面结构走向3D化，变得跟NAND闪存一样。
未来可能会出现4G/8G甚至16G和更高容量的产品，进入中低容量emmc这样的闪存市场。依靠光刻的2D逻辑制程走向终点，依靠刻蚀，沉积的3D结构化才刚开始。$兆易创新(SH603986)$ $中芯国际(SH688981)$$张江高科(SH600895)$