【氮化镓电源模块主要上市公司梳理】（2025年12月更新）

2025年12月4日，九峰山实验室发布的一则消息震撼了整个科技界：他们的氮化镓电源模块最新成果，能够让一座1吉瓦的超大型AI算力中心，一年节省近3亿度电，约合2.4亿元电费。

实验室团队负责人李思超博士透露，这项成果已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内实现量产。这意味着，困扰AI产业已久的“能耗魔咒”有望被打。

氮化镓（GaN）电源模块作为第三代半导体技术的核心应用，其产业链涵盖材料生长、器件设计、制造封装、终端应用四大环节。当前，国内多家上市公司已深度布局该领域，覆盖从基础材料到终端产品的全链条，以下是主要上市公司及核心业务梳理（按产业链环节分类）：

一、材料与衬底环节：基础支撑

1. 三安光电（600703）国内最大的碳化硅（SiC）衬底生产商（月产2000片），同时布局GaN-on-Si技术（氮化镓 on 硅基），为氮化镓功率器件提供核心衬底材料。其SiC衬底产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器等领域，是氮化镓电源模块的关键上游供应商。

2. 中瓷电子（003031）子公司河北博威专注于氮化镓通信基站射频芯片研发，搭建了5G大功率基站GaN射频器件、微波点对点通信射频器件等四大研发平台，突破自动化先进微组装工艺，实现GaN通信基站射频芯片与器件批量生产。其产品覆盖400MHz—6GHz频段，广泛应用于5G基站、数据中心等场景。

二、器件设计与制造环节：核心环节

1. 英诺赛科（688225）国内领先的氮化镓功率器件厂商，专注于8英寸GaN晶圆研发与生产，其100V双向器件适配数据中心高压直流系统，是英伟达Kyber机架系统的核心电源解决方案供应商（2025年7月上榜英伟达800V HVDC电源架构合作商名录）。公司产能正在快速扩张，预计2025年底8英寸产能将从1.3万片/月扩至2万片/月，以满足AI算力基建的旺盛需求。

2. 华润微（688396）拥有国内首个8英寸硅基氮化镓生产线，其8英寸GaN功率器件产品（如650V、1200V系列）主要用于电源管理、逆变器等领域，技术水平处于国内第一梯队。公司的GaN器件具有高开关频率、低损耗特性，可有效提升电源系统的功率密度与效率。

3. 闻泰科技（600745）全球领先的功率半导体厂商，其产品涵盖GaN FET（场效应晶体管）、SiC MOSFET等第三代半导体器件，广泛应用于AI服务器、数据中心电源系统。公司的GaN FET产品具有高电子迁移率、低导通电阻特性，可满足AI算力设施对高功率、高效率电源的需求。

4. 扬杰科技（300373）与北京大学团队合作研发垂直结构氮化镓二极管，聚焦氮化镓器件在电源管理领域的应用。公司的氮化镓二极管具有零反向恢复电荷（Qrr）特性，可显著降低电源模块的开关损耗，提升转换效率。

5. 捷捷微电（300623）布局氮化镓功率器件研发，其产品主要应用于消费电子快充、新能源汽车电源等领域。公司的GaN功率器件具有高开关频率（可达MHz级）、低损耗特性，可有效缩小电源模块体积，提升功率密度。

6. 海特高新（002023）碳基氮化镓产品已进入量产阶段，其碳基氮化镓材料具有更高的电子迁移率与热稳定性，可应用于高功率、高频率场景（如AI服务器电源、5G基站）。公司的量产能力为氮化镓电源模块的规模化应用提供了关键支撑。

三、封装与应用环节：终端落地

1. 京泉华（002885）氮化镓快充产品通过比亚迪等数十家客户验证，其氮化镓快充解决方案覆盖65W—240W功率段，具有高功率密度（可达10W/cm³）、高效率（可达95%）特性。公司的产品广泛应用于新能源汽车、消费电子等领域，是氮化镓电源模块的重要终端供应商。

2. 铭普光磁（002902）量产65W氮化镓快充产品，采用第三代半导体技术（GaN），其产品具有体积小（约为传统硅基快充的1/3）、效率高的特性，已广泛应用于手机、笔记本电脑等消费电子领域。公司的氮化镓快充产品是消费级电源模块的典型代表。

3. 茂硕电源（002660）小批量量产氮化镓充电器，其产品采用GaN器件，具有高开关频率、低损耗特性，可有效提升充电器的功率密度。公司的氮化镓充电器已应用于新能源汽车、储能系统等领域，是氮化镓电源模块的重要应用场景之一。

4. 飞荣达（300602）为华为、荣耀等头部厂商提供氮化镓快充产品（包括200W有线快充、50W无线快充），其氮化镓快充模组具有高功率密度、高可靠性特性，已实现批量供货。公司的产品是消费电子领域氮化镓电源模块的标杆案例。

5. 中兴通讯（000063）5G基站产品使用GaN器件，其GaN功率器件具有高电子迁移率、高击穿电场特性，可有效提升5G基站的功率密度与效率。公司的GaN器件应用是氮化镓在通信领域的关键落地场景，为数据中心、AI算力设施的电源系统提供了重要参考。

6. 国星光电（002449）研发GaN-DFN器件（氮化镓分立器件），可应用于新能源汽车充电、手机快充等领域，其产品适用于几十到100W的快充电路。子公司国星半导体在硅基氮化镓衬底技术方面具有研发储备，为氮化镓电源模块的衬底供应提供了支撑。

四、总结：主要上市公司的核心逻辑

氮化镓电源模块的主要上市公司覆盖了材料—器件—封装—应用全产业链，其中：

- 材料与衬底：三安光电（SiC衬底）、中瓷电子（GaN射频芯片）是基础支撑；

- 器件设计与制造：英诺赛科（8英寸GaN晶圆）、华润微（8英寸硅基GaN）、闻泰科技（GaN FET）是核心环节；

- 封装与应用：京泉华（快充产品）、铭普光磁（65W快充）、茂硕电源（氮化镓充电器）、飞荣达（华为/荣耀供货）、中兴通讯（5G基站）是终端落地的关键。

这些公司通过技术突破与产能扩张，正在推动氮化镓电源模块从“实验室”走向“规模化应用”，尤其是在AI算力、数据中心、新能源汽车等高功率场景中，氮化镓电源模块的市场潜力正在逐步释放。

注：本文基于2025年12月4日前的公开信息整理，不构成任何投资建议。市场有风险，投资需谨慎。25.12.04.