深科技HBM封装技术突破与产业布局

一、核心技术突破

TSV硅通孔与3D堆叠工艺
深科技通过子公司沛顿科技实现17nm DRAM量产，并掌握HBM封装所需的TSV（硅通孔）和3D堆叠技术。其多层堆叠封装工艺可支持16层芯片集成，样品良率达98.2%，接近三星的98.5%水平。合肥沛顿项目已预留HBM专用产能，技术储备覆盖DDR5、LPDDR5等新一代产品。

超薄封装与系统级集成
为华为昇腾910B提供配套封测服务，采用超薄PoP（堆叠封装）技术，将DRAM、PMIC等芯片集成至11.5×13.5mm空间，功耗降低22%，良率提升至99.7%。此外，其Chiplet封装方案已通过英伟达验证。

二、产业地位与产能布局

国内封测三强对比

差异化优势：深科技是国内唯一具备从晶圆封测到模组成品全链条能力的企业，专注存储领域，而长电、通富微电以逻辑芯片封装为主。产能准备：合肥沛顿一期产能8.2万片/月，二期规划扩至13.2万片/月，占长鑫存储封测需求的60%。2025年全球HBM封装份额达12%。

客户合作
核心客户包括华为（昇腾芯片）、SK海力士、美光，并为Intel服务器提供认证测试服务。2024年存储封测收入35.2亿元，占营收25.6%。

$深科技(SZ000021)$