$彤程新材(SH603650)$ $容大感光(SZ300576)$ $南大光电(SZ300346)$

光刻胶全球八强企业如下：
1、东京应化（TOK）：总部位于日本，是全球 EUV 光刻胶技术领导者，独家开发出含金属氧化物的分子级光敏树脂体系，实现 13nm 线宽的极限分辨率，其 EUV 胶在 7nm 以下节点的市场占有率高达 92%。它与 ASML 建立联合实验室，拥有覆盖 KrF 到 EUV 全谱系光刻胶的 2000 余项专利。
2、信越化学（Shin-Etsu）：日本企业，凭借独创的 “分子锚定技术” 在 KrF/ArF 光刻胶领域占据 35% 市场份额，产品显影后图案侧壁角度精度达 89±0.5°，适配 3D NAND 存储器超过 200 层的堆叠需求。公司建有全球唯一的光刻胶专用超纯苯酚生产线，杂质含量低于 0.1ppb。
3、JSR 株式会社：日本的全球领先光刻胶生产商，垄断全球 40% 的 EUV 光刻胶供应，其纳米级微球分散技术使光敏剂粒径标准差小于 0.5nm。与 ASML 联合开发的 EUV Pellicle 防护膜透光率达 92% 且缺陷密度仅 0.001 个 /cm²，拥有包含超过 50 万组工艺参数组合的光刻胶验证数据库。
4、陶氏杜邦（DuPont）：美国公司，是 193nm 浸没式光刻胶的奠基者，开发出折射率 1.64 的高透光树脂系统，助力 5nm 制程突破。其专利的 “梯度交联技术” 使光刻胶在 45nm 深宽比结构的图案转移中保持 99.7% 保真度，在 3D 芯片封装领域市占率达 65%。
5、罗门哈斯（Rohm and Haas）：美国企业，是化学放大光刻胶（CAR）的原创者，持有基础专利 “酸扩散控制技术”，将光致酸剂的扩散距离压缩至 5nm 内，使 28nm 节点接触孔关键尺寸均匀性达 ±0.8nm。公司开发的 “多级缓冲溶剂系统” 可兼容从 g-line 到 EUV 的所有曝光波长。
6、东进世美肯（Dongjin Semichem）：韩国企业，在 OLED 面板光刻胶领域占据全球 65% 份额，其 5μm 超厚膜光刻胶支撑三星 QD-OLED 实现 2400PPI 分辨率。2021 年开发出 EUV 光刻胶，2025 年量产的 “柔性可拉伸光刻胶” 可承受 10 万次弯折。
7、科华微电子（Kempur）：是上市公司彤程新材子公司，是一家集先进光刻胶产品研、产、销为一体的拥有自主知识产权的高新技术企业，产品覆盖 KrF、I-line、G-line、紫外宽谱系列光刻胶，是国内领先的光刻胶产品供应商与服务商。
8、富士胶片（FUJIFILM）：1934 年创建于日本，是世界著名的精密化学制造、胶片、存储媒体和相机生产商，其光刻胶产品覆盖负胶、i 线、KrF、ArF、电子束胶等，目前正在积极研发 EUV 光刻胶。