用D设备搞Fin-FET 6，已经是接近D设备的工艺极限。 用D设备情况下，越级到GAA-FET工艺，才会有更广阔的天空，5-4-3，因为GAA的栅极宽度比Fin鱼鳍片宽度还要宽，理论上可行。或许在D设备下，还能到Fork-FET、CFET。
很庆幸，我们已经有些团队意识到这个问题，着手研发了。
$中芯国际(00981)$ $中芯国际(SH688981)$ $华虹公司(SH688347)$