老美系设备里，看好的两个，一个是$拉姆研究(LRCX)$ ，一个是$科磊(KLAC)$。至于$阿斯麦(ASML)$ ，估计要2030年台积电才会大规模用上High Na EUV光刻机。
因为Na=0.55曝光视场会比Na0.35的光刻机曝光视场减半，曝光次数会更加一倍。
更关键的是，对于大芯片，例如英伟达814mm2尺寸，需要拼接光罩进行曝光。这手法会降低良率，得不偿失。
所以不急着上high na EUV。因为在GAA-FET工艺里，刻蚀、沉积更加关键，光刻影响的关键尺寸不是决定性的。大家可以去查一下关键尺寸参数。
同样地，我们这边也要打开思路，在没有euv的情况下，用DUV去做GAA工艺，应该能上真5，4，3。等到有E设备了，就可以衔接升级了。
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