整理了各类光刻胶的关键信息（按技术先进程度从高到低排序），便于理解和记忆
EUV (极紫外) 光刻胶，配套7nm及以下 (如5nm, 3nm) 先进制程，当前用于制造最尖端的逻辑和存储芯片。
ArF (干式)光刻胶，配套深紫外 (DUV)光刻机，是进入纳米级工艺的重要技术。
ArFi (浸没式) 光刻胶，(使用多重曝光) ArF的增强版，通过浸没技术等效缩短波长，是实现7nm工艺（不使用EUV时）的关键。
KrF光刻胶，配套深紫外 (DUV)光刻机，广泛应用于存储芯片等对成本敏感的中高端制程。
i线光刻胶，用于成熟制程，如电源管理、显示驱动等芯片。
g线光刻胶，用于对线宽要求不高的器件和早期集成电路。
$南大光电(SZ300346)$ $彤程新材(SH603650)$ $上海新阳(SZ300236)$