英特尔ZAM内存性能优于HBM——
1.英特尔ZAM内存，将采用铜-铜混合键合技术；该技术可实现芯片层间的高效融合。
2.ZAM内存对比HBM内存优势：功耗降低一半左右；互连技术简化芯片制造流程；芯片存储容量大幅提升。
金信诺产品，在英特尔高速互联平台的进展：
4.高速线缆与连接器，目前可以匹配到英特尔下一代平台。（来源：金信诺2022年报第14页）
5.已基本开发完成匹配英特尔下一代平台的相关产品，为国内厂商的技术第一梯队。（来源：金信诺2023年报第14页）
6.已开发完成匹配英特尔下一代平台的相关产品，包括DA-CEM线缆组件，Multi-trak线缆组件等，成为国内厂商的技术第一梯队。（来源：金信诺2025年中报第12页）
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