光刻胶与显影液龙头大盘点：谁将引领半导体材料新变革？

光刻胶与显影液：半导体制造的核心材料

在半导体制造这座精密而复杂的 “科技大厦” 中，光刻胶与显影液占据着举足轻重的核心地位，堪称是整个半导体产业的 “幕后英雄”。

光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的高分子材料，被誉为半导体产业的 “皇冠明珠”。光刻工艺作为半导体制造的核心步骤，其作用是将掩模版上的精细电路图案转移到硅片等衬底上，而光刻胶则是实现这一图案转移的关键媒介。光刻胶的工作原理基于其对特定波长光线的敏感性。当光刻胶受到光照时，会发生光化学反应，导致其溶解性发生变化。根据光照后溶解性的不同，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在曝光区域的溶解性增加，显影时被溶解去除，从而在衬底上留下与掩模版图案一致的光刻胶图形；负性光刻胶则相反，未曝光区域在显影时被溶解，留下曝光区域的图形。按照曝光波长的不同，光刻胶主要分为 g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248n