$天通股份(SH600330)$ $云南锗业(SZ002428)$ 在光通讯方向上，天通的铌酸锂（LN）和云南锗业的磷化铟（InP）多是光芯片产业中的上游材料。
目前主流的800G EML光芯片方案中，磷化铟主要的用量是作为光芯片的衬底材料，将分布式反馈（DFB）激光器和电吸收调制器（EAM）集成在一起（EML）。磷化铟目前主要依赖进口，且以小尺寸为主。云南锗业是国内最大的磷化铟晶片生产商，且昨天的新闻也说突破了6英寸的外延技术。兼具国产替代和技术进步（更大尺寸/单位面积更低的价格）。
铌酸锂（LN）被誉为 “光学界的硅” 。它最主要的优势是其卓越的电光效应，因此它是制作高速电光调制器的绝佳材料。铌酸锂晶体在相干调制器上一直占据重要的地位。随着光通讯对带宽需求的快速增长，光模块从400G快速迭代进800G，下半年硅光1.6T有望快速起量。硅光方案是利用硅的成熟CMOS工艺，将波导、分束器、调制器、探测器等无源和有源器件集成在一起，用硅的低成本代替磷化铟的高成本，以实现降本增效的作用。但硅光在功耗和调制速率上依然存在短板。进而业界出现用薄膜铌酸锂取代硅光中的调制芯片，形成硅光V2.0方案，以实现更低功耗，更高带宽，更高的调制速率。
有了TFLN的加持，硅光平台将进一步突破自身物理极限，一跃成为支撑1.6T、3.2T及未来太比特时代光互联的绝对主力技术路线。
天通股份为响应未来的市场需求，在江苏提前布局420万片LN/LT产能，并在技术上实现12寸晶片生产。为铌酸锂芯片的市场需求和降本做足准备。
如果说800G成就今天的磷化铟市场热度，那么铌酸锂将成为未来光通讯的明星。