国产化率仅1%！半导体光刻胶迎来重大发展时期，产业链深度解析！

01产业驱动因素

①高端光刻胶国产替代空间超90%

近日，华创证券表示，目前国内g线和i线光刻胶自给率仅10%，KrF和Arf光刻胶自给率仅1%，EUV光刻胶尚无企业可以大规模生产。

高端光刻胶生产需要跨越4大壁垒：原材料、配方、设备和客户认证壁垒。

但对于光刻胶，我国早在之前便明确了战略目标，到2030年关键材料国产化率超70%。

也就是说，我国光刻胶产业仍面临巨大国产替代空间。

②我国光刻胶技术不断取得突破

事实上，自去年以来我国光刻胶技术便不断取得突破。

2024年10月，武汉太紫微光电推出的T150 A光刻胶产品，直接对标国际主流KrF光刻胶系列，实现配方全自助设计，并通过半导体工艺量产验证。

2025年10月，我国北京大学团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域，合成一张分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。

光刻胶技术的突破迎合了我国半导体芯片制程