长电科技600584：即将一飞冲天（第二集）
最近对长电科技很入迷，积极分享有关长电科技，记录炒股日常。
长电科技一飞冲天逻辑是：长电科技在 AI/HBM 封测上已形成“XDFOI 平台 + 2.5D/3D 异构集成 + HBM 多层堆叠量产 + 车规/CPO 协同”的全栈能力，核心优势在于大尺寸/高密度量产良率（98%+）、国内唯一绑定国际 HBM 大厂、以及先进封装与存储封测一体化。
一、技术平台与产品线布局（按“从底到上”拆解）
1、XDFOI Chiplet 平台
多维扇出（Fan-Out）+ RDL/硅桥/转接板
4nm 多芯片、1500mm² 超大尺寸量产，良率 99%+AI GPU/HPC Chiplet、大算力 SoC。
2、2.5D/3D 异构集成
fcBGA + 硅中介层、TSV 堆叠
大尺寸 2.5D fcBGA（100mm+）量产；3D SoC 验证通过算力芯片（类 CoWoS）、存储逻辑合封。
3、HBM 封装
8 层堆叠 DRAM + 逻辑基板
HBM3/3E 量产，良率 98.5%；12 层 HBM4 产线验证中AI 服务器（SK 海力士等 HBM 订单）。
4、存储封测一体化
3D NAND/DRAM 堆叠 + 控制芯片测试
32 层闪存堆叠、25μm 超薄制程量产
高端 SSD、手机存储、数据中心 DRAM。
5、CPO/硅光引擎
XDFOI + 光引擎合封
硅光引擎样品交付客户测试（2026.1）
下一代 AI 服务器光互连。
6、车规级先进封装
上海临港车规基地 + 功率 SiP车规基地通线，高可靠性认证智能驾驶域控制器、车载存储。
7、XDFOI 是核心底座：
支持 4nm 多芯片异构集成（CPU/GPU/HBM 控制器等）与 1500mm² 超大封装，替代部分 2.5D 中介层方案，成本更低且兼容 Chiplet 架构，已用于英伟达、海思等 AI 芯片。
8、HBM 与 2.5D/3D 协同：通过硅中介层或 RDL 实现 HBM 与逻辑芯片高密度互连（带宽 819GB/s 级），而非单纯“堆 DRAM 颗粒”，这是服务 AI 算力芯片的关键。
9、存储封测能力反哺 HBM：20 余年存储封装经验（3D NAND 32 层堆叠、超薄晶圆）直接迁移至 HBM 工艺，良率爬坡快于纯新玩家。
二、AI/HBM 封测的具体技术优势（相对国内同行）
1、HBM 多层堆叠量产能力 + 客户卡位
8 层 HBM3/3E 量产良率 98.5%，全球份额约 20%，国内唯一深度绑定 SK 海力士 HBM 封测（部分订单独家）；同时承接三星、美光及长鑫存储高端存储订单。
12 层 HBM4 产线已启动验证，目标 2026–2027 年量产，较国内其他封测厂（多数仍处 8 层研发）领先 1–2 年。
优势：“工艺know-how + 大客户联合研发”——HBM 对翘曲控制、热应力、TSV 填充要求极高，长电通过存储业务积累迭代出稳定工艺窗口。
2、XDFOI 平台：大尺寸/高密度异构集成良率领先
支持 1500mm² 封装（等效 100mm×100mm 以上 fcBGA），满足 AI 芯片超大 reticle 需求，良率 99%+（行业门槛通常 95%–97%）。
可灵活选择 RDL/硅桥/转接板方案，针对不同带宽-成本需求优化：
高端 AI：硅中介层 + HBM → 类 CoWoS 性能；
成本敏感：RDL 扇出 → 类 INFO 方案，仍保持高带宽。
对比国内：通富微电等以 2.5D fcBGA 为主，超大尺寸（>100mm）和 Chiplet 平台化能力略弱；长电的 “平台化可扩展” 更适配多客户、多产品线。
3、先进封装与存储封测一体化：协同降本
存储业务（DRAM/Flash）提供稳定晶圆级封装（WLP）、TSV、超薄堆叠产能，与 HBM 产线共享设备/工艺，摊薄折旧。
2025 年存储封测收入同比增 150%，HBM 相关订单 Q4 同比增 150%，毛利率 20%+（传统封装约 10%–15%），体现 “高附加值存储封装” 的盈利弹性。
国内其他封测厂（如华天）存储占比低，通富虽切入 HBM 但存储整体规模不及长电，协同效应弱。
4、车规级 + CPO 延伸 AI 场景
上海临港车规基地（JSAC）通线，针对智能驾驶域控制器（含 AI 推理芯片）提供 2.5D SiP + 高可靠性认证，将 AI 封装能力导入车载（特斯拉、比亚迪等认证中）。
CPO 硅光引擎基于 XDFOI 完成样品交付，未来可支撑 AI 服务器 800G/1.6T 光互连，形成 “电互连（HBM） + 光互连（CPO）” 全链路能力。
国内封测厂中，仅长电公开宣布 CPO 样品交付，技术前瞻性占先。
5、研发投入与专利壁垒
2025 年前三季度研发费用 15.4 亿元（同比 +24.7%），累计专利超 1.2 万项，重点投向扇出、3D 集成、HBM 散热材料（如与中科院联合开发散热胶水通过 SK 海力士验证）。
在 TSV 密度、翘曲控制、多芯片热管理等领域形成专利池，客户切换成本高（封装方案需重新验证可靠性）。
三、风险
1、CoWoS 类方案仍弱于台积电
长电的 2.5D/硅中介层方案性能接近 CoWoS，但台积电在晶圆级集成（CoW）、中介层制程（5nm 以下）和产能规模上仍有代差，目前难以直接替代英伟达 A100/H100 的 CoWoS 订单。
2、HBM4 及更先进节点尚在验证
12 层 HBM4 处于产线验证阶段，量产时间（2026–2027）和良率仍需观察；国际巨头（三星、SK 海力士）自有封测产能仍在扩张，外部订单分配存在不确定性。
3、资本开支压力与周期属性
2025 年资本开支 85 亿元聚焦先进封装+车规，短期折旧压制利润（2025 前三季度净利同比 -11%），若 AI/HBM 需求不及预期，产能利用率下滑将放大业绩波动。
四、长电在 AI/HBM 封测的定位
技术层面：国内唯一具备“XDFOI Chiplet + 2.5D/3D + HBM 量产 + CPO 前瞻”全栈能力的封测厂，良率和平台化能力领先同行。
客户层面：深度绑定 SK 海力士 HBM、英伟达/海思 AI 芯片，同时导入车规、光通信场景，分散应用风险。
竞争格局：相对于通富微电（绑定 AMD MI300）、华天（成本优势），长电更接近“综合技术龙头”，但 CoWoS 和 HBM4 仍需时间追赶台积电/三星。
密切关注：
若关注 AI/HBM 弹性，需跟踪：HBM3/3E 订单占比提升、HBM4 量产进度、上海车规/CPO 客户导入情况；
当前估值已部分反映先进封装预期，需警惕行业周期下行及技术迭代不及预期的风险。
易中天已涨到天花板，已高位横盘几个月，虽然2025年业绩不错，股价与市值已体现了其价值。今年看好富长天。
富长天能否取代易中天？拭目以待。
投资有风险，入市需谨慎。
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