SK海力士调研纪要（QA里面有几个是之前球友们留言的问题）
1. 存储产品技术研发进展
。 3D DRAM技术节点与设备依赖：3D DRAM技术验证已做到10纳米以下，该节点下无法通过DUV多重套刻实现，必须依赖EUV光刻机。
• 4D NAND技术研发：4D NAND（4F square VG平台）的研发已进入优化技术阶段，关键难点涉及晶体管从水平放置到垂直放置的架构转型。
2. HBM产品相关信息
。 HBM价格调整机制：HBM价格调整以1年为单位，其利润率始终高于普通DRAM；2026年HBM价格调整已完成，新产品（如M3）定价略低于原有产品，但未出现普通DRAM利润率超过HBM的情况。
•HBM产能规划与客户锁定：海力士龙仁厂预计2027年投产，规划35-40万套HBM DRAM产能；三星P5工厂预计2027年下半年投产，规划6个洁净室（对应20-30万片HBM产能）。当前客户（如CSP）优先锁定供应量而非谈价，新增产能存在投产前被长期合约锁定的可能性。
3.存储产品价格与市场供需
。一季度合约价涨幅：TrendForce和DRAMeXchange更新一季度DRAM合约价环比涨幅达120%，NAND涨幅约70%；海力士表示其价格涨幅与第三方机构数据不会完全一致，但短期内涨幅会较大，且不会“引领涨价”，而是在不破坏生态的前提下跟进。
。价格上涨逻辑：核心矛盾为需求远超供给能力，服务器客户库存周数低于移动和PC端，库存消耗速度更快；供给短缺问题短期内难以消除，客户补库需求强烈。
。价格涨幅预期：海力士预计DRAM涨价幅度不会高出市场预期（120%）太多，但也不会有显著差异；HBM后续涨价幅度可能高于市场预期，但公司不会主动追求过高涨幅以避免恶性竞争。
4.客户合作与合约机制
• CSP长期合约要求：在HBM等产品供给短缺背景下，CSP客户普遍要求签订长期合约（多为1-2年，部分要求3年以上），以锁定产能；合约非“绑定式”，但客户需承诺用量，避免下行期砍单风险。
。客户选择策略：当前市场处于“公司选客户”阶段，优先选择信赖度高、坏账风险低的客户；未来新增产能投放后，需综合考虑需求变化与客户合作稳定性，不排除供需关系反转的可能，但短期供给约束仍主导市场。
5.资本开支与产能规划
。 Capex相关讨论：第三方机构（如DRAMeXchange）提及海力士明年Capex可能翻倍，且当前NAND占Capex比例仅10%；公司未完全否认该说法，但表示“为时尚早”，若客户（如CSP）愿意承担Capex风险（如预支资金建产线），NAND在Capex中的占比可能上升。
。产能增长限制：产能增长面临空间限制（现有产线无扩产空间），需通过新建产线实现；2026-2027年产能规划从35万亿（存储单元）起步，但需优先确保空间储备，而非盲目增加产能。
6． 技术路线与市场竞争格局
•HBM与替代技术关系：Google提出的OCS架构（全光互联DRAM池化）不会完全替代HBM，而是推动内存种类分化—不同应用场景（如AI、通用计算）将采用不同存储技术，HBM仍将在高带宽需求场景保持优势。
。存储需求驱动逻辑变化：当前存储需求由实际应用需求（如AI服务器）而非价格驱动，与传统消费电子（如PC、手机）“价格便宜才增加用量”的逻辑完全不同；即使价格上涨，高需求场景（如AI）的用量仍会增长，而移动端因成本压力可能微幅削减用量。
Q&A（问答）
Q:3D NAND和4D NAND目前的研发进展如何？4F square VG平台的关键难点是什么？
A:4F square对应的是3DGate技术（将晶体管从水平放置改为垂直放置），而非4D技术。相关技术的优化工作已进入优化阶段，未来维持技术现状对公司而言是重要课题。
Q:3D DRAM技术验证做到10纳米以下时，是否必须使用EUV光刻机，能否用DUV多重套刻实现？
A:3D DRAM做到10纳米以下时，对EUV的依赖度肯定会增加，无法再依赖DUV多重套刻的方式。
Q:HBM单颗堆叠（Cube）未来2-3年的路线图，包括堆叠高度、单颗容量、带宽及封装工艺的演进节奏如何？
A：公司未披露具体的HBM堆叠路线图细节，但HBM相关技术的演进节奏与商业计划是产业讨论的重点，实验操作结果对判断至关重要。
Q：英伟达未来2-3年在公司产能中的占比预计是多少？HBM在英伟达设计架构中的位置如何？
A：公司并非仅针对英伟达这一个客户研发产品，AI推理等领域的驱动技术也在研究范围内，HBM在相关领域需求旺盛，但未披露英伟达产能占比的具体数据。
Q: HBF在减缓延迟（latency）方面有哪些内部控制指标？相比其他技术有何优势？
A:HBF在延迟控制方面与其他技术相比有非常明显的优势，但具体控制指标处于商讨确立阶段，尚未公开详细数据。
Q: TrendForce和DRAMeXchange更新的一季度存储产品ASP涨幅（DRAM约110%-120%、NAND约60%-70%）与公司和CSP、OEM客户谈判的合约价是什么关系？该价格涨幅对公司当季及下一季度业绩的传导机制如何？
A：第三方机构更新的价格与公司实际谈判的合约价不会完全一致，公司不会引领价格上涨，也不会不跟随价格上涨，但不会站在行业前面主动推动涨价。价格涨幅应该相当大，但公司需平衡价格上涨对客户生态的影响，避免产生负面效应。
Q：业界称三星和海力士让美光冲在前面涨价（美光提议涨价120%），三星和海力士会跟进吗？若今年价格涨到一定程度平稳后，存储产品单价是保持平稳还是寻求每年10%-20%的涨幅？
A：短期内存储产品价格涨幅会较大，但最终会有一个时间点涨幅放缓，具体何时开始、到什么程度目前难以预测。核心原因是供给相对于需求的余量过于有限。
Q:CSP与公司谈判时优先确保供应量还是争取价格折让？公司如何解决客户上行期重复下单、下行期砍单导致企业盲目扩产亏损的问题？
A:CSP当前优先确保供应量而非谈价；公司会要求客户提供订单、用量保证的证据，供货量按历史需求量的八折执行，以避免客户重复下单或砍单导致的产能波动问题。
Q：海力士龙仁工厂2027年将释放35-40万套HBM DRAM产能，三星P5工厂2027下半年将释放20-30万片HBM DRAM产能，这些新增产能是否会在投放前被CSP或消费电子OEM厂商大部分锁定？
A：公司会优先选择信赖度高、坏账风险低的客户，并综合考虑公平性分配产能；目前是公司选择客户，新增产能投放后的情况需看市场需求变化，若需求增加则产能可能被快速消化，但公司会根据市场情况调整，避免盲目扩产。
Q:HBM的定价和价格调整机制是怎样的？调整频次如何？去年四季度DRAM利润率超过HBM，今年一季度DRAM涨价较多，后续HBM会根据DRAM价格调整吗？
A:HBM的价格调整以1年为单位进行，其利润率原本持续高于普通DRAM。不过，去年四季度DRAM利润率已超过HBM。目前相关合同已签订，HBM后续涨价幅度或高于市场预期，预计涨幅为120%，但不会与市场价格走势有太大差异。
Q:Google发布的OCS架构（通过远程访问DRAM替代HBM）会对服务器架构产生重大影响吗？
A：远程内存池访问技术（如OCS架构）相关产品已存在，这类新技术的出现并非直接替代原有HBM，而是会推动内存种类进一步分化，不同用途的内存将根据需求差异发展。
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以下是自己的一些记录：
海力士目前70%供给英伟达，长期会逐渐下降，主要是来自于ASiC的订单
目前有capex的计划，在NAND方向会扩产，现在最大瓶颈是Fab的供给，要等到下半年隆仁fab的确认来确认NAND的capex
一般来说，服务器客户库存是高于消费电子的，但是Q4我们看到服务器客户存储芯片消耗速度是很快的，服务器客户库存已经低于消费电子了，供需角度讲现在是完全供不应求的情况。
云厂现在是希望确保供应量，而不是价格敏感，但是我们18-19年已经被他们坑过一次，所以我们这次也会比较小心。
各家都希望签3年以上的长期协议，当然他们也是可以悔单的，这在下行周期很常见。
但是还是云计算大厂的资金实力还是比较有保证的，也不太容易坏账。
国内买SK海力士或者三星缺乏渠道，港股市场可以买的是南方东英的$XL二南方海力士(07709)$ $南方两倍做多三星电子(07747)$ 。杠杆ETF长期持有的话要注意杠杆损耗。
ADR在推进，短期没影，涉及一些税务问题与技术处理。
就这些。仅供参考。