国内领先的“半导体材料+器件”平台型企业转型，已经转化为具体的技术成果、产品突破。

立昂微逐年增长的研发费用是其从一家传统的硅片厂向国内领先的“半导体材料+器件”平台型企业转型的核心驱动力。这些真金白银的投入，已经转化为了具体的技术成果、产品突破和市场份额。

以下是根据其研发投入方向梳理出的主要科研成果和产品结果：

一、核心研发方向与对应的成果

立昂微的研发投入主要聚焦于三大板块：半导体硅片、功率器件、射频芯片。其研发费用的增长与这些领域的重大技术攻关项目直接相关。

1. 半导体硅片：从6英寸到12英寸的国产替代

研发目标：突破大尺寸硅片技术，尤其是应用于先进逻辑和存储芯片的12英寸硅片。

主要成果：

12英寸硅片量产：成功实现12英寸硅片的规模化生产，并应用于逻辑、CIS（图像传感）、Power器件等领域。2023年底，其12英寸硅片月产能已达15万片，并持续爬坡中。这是最重大的成果。

客户认证突破：产品陆续通过了 中芯国际、华虹宏力、士兰微 等国内主要芯片制造企业的认证，并实现批量供货，成为了国产替代的关键力量。

技术节点延伸：其12英寸硅片已可覆盖从90nm到14nm等多个技术节点，并持续向更先进制程推进。

奖项荣誉：其“高端集成电路用硅片研发与产业化”等相关项目曾获得过 浙江省科技进步奖 等省级重要奖项。

2. 功率器件：从低端到车规级的跨越

研发目标：提升MOSFET性能，突破IGBT和碳化硅（SiC）技术，切入新能源汽车和光伏等高景气赛道。

主要成果：

车规级MOSFET认证：其MOSFET产品已进入 比亚迪 等头部新能源汽车厂商的供应链，实现了国产突破。

IGBT芯片及模块开发：完成了新一代IGBT芯片的研发，并成功开发出对应的模块产品，应用于光伏逆变器和工业控制领域。

碳化硅（SiC）布局：在SiC MOSFET芯片技术上也取得了突破，完成了中试线建设，为未来增长储备了技术。

3. 射频芯片：通过并购切入，实现技术整合

研发目标：通过子公司立昂东芯，发展GaAs/GaN工艺，打造第二增长曲线。

主要成果：

VCSEL芯片量产：成功开发并量产用于3D传感、激光雷达等领域的VCSEL芯片。

射频前端芯片：开发了用于5G通信的射频开关、低噪声放大器等芯片，并送样至平台厂商认证。

技术整合：完成了对立昂东芯的技术和产线整合，形成了从材料到芯片的协同能力。

三、总结：研发投入的有效性评价

立昂微的研发投入是非常高效且目标明确的，其成果主要体现在：

技术壁垒构建：成功打破了国外对大尺寸硅片的垄断，实现了12英寸硅片的国产化，这是国家半导体产业战略的重要一环。

产品结构升级：公司从过去的低端功率器件为主，成功升级到以12英寸硅片和车规级功率器件为代表的高附加值产品结构，毛利率和市场竞争力显著提升。

客户结构优化：客户从以往的分立器件厂商，升级为中芯国际、华虹、比亚迪等国内最顶级的芯片制造和系统厂商，奠定了行业地位。

获得资本市场认可：虽然并非直接奖项，但技术的突破是其在获得高估值的重要基础。

展望未来，其研发费用将继续投向：

12英寸硅片的更先进制程工艺和更高良率。

碳化硅（SiC） 芯片的全面量产和车规认证。

射频芯片在5G和激光雷达市场的应用拓展。

总而言之，立昂微的研发投入清晰地转化为了技术突破、产品成果和商业成功，是其近年来业绩增长和估值提升的核心逻辑。