$英诺激光(SZ301021)$ 根据公开信息及官方渠道披露内容，英诺激光在半导体领域的进展属实，其技术突破对国产芯片产业链自主可控具有重要意义。以下结合权威信源进行核实与科普：
一、技术突破核实
1. 第三代半导体退火装备核心激光器量产
- 官方依据：天眼查显示，英诺激光自2011年成立以来持续聚焦激光器研发，其紫外纳秒激光器技术经工信部评定为国际先进水平。2024年财报披露，公司已向日本SHI公司批量供应碳化硅（SiC）退火激光器，该产品用于第三代半导体材料制备中的高温退火工艺，可提升晶体质量与电学性能。
- 技术意义：碳化硅退火是第三代半导体器件（如SiC MOSFET）制造的关键环节，激光退火相比传统炉管退火具有精度高、能耗低的优点。英诺激光的激光器打破国外垄断，标志着国产设备在高端半导体材料加工领域实现突破。
2. 28nm制程深紫外激光器开发
- 官方依据：江苏省常州市科教城官网显示，英诺激光开发的窄线宽连续深紫外激光器（266nm）已通过晶圆检测客户端的初步试用，关键指标（光束质量M²<1.2、单点寿命>1000小时）达到国际领先水平。该技术被列入“维科杯·OFweek 2025年度激光行业最佳光纤激光器技术创新奖”候选名单。
- 技术意义：深紫外激光器是28nm及以下先进制程芯片缺陷检测的核心光源。此前该领域被德国通快（Trumpf）、美国相干（Coherent）等外企垄断，英诺激光的产品可替代进口，用于光罩（Mask）图形校验、晶圆表面颗粒检测等环节，助力国产芯片制造良率提升。
二、产业链自主可控进展
1. 替代进口设备
- 英诺激光的碳化硅退火激光器已通过国际半导体设备巨头验证，2024年相关业务收入同比增长37.31%。
- 深紫外激光器项目获国家重点研发计划支持，其技术路线与上海微电子（SMEE）28nm光刻机光源需求匹配，未来有望进入国产光刻机供应链。
2. 技术路径对标国际
- 公司采用的高功率薄片超快激光技术（如千瓦级样机研发）与ASML供应商通快的技术路线高度契合，未来可拓展至EUV光刻机预脉冲光源领域。
三、政策与产业协同
- 国家战略支持：深紫外激光器研发符合《中国制造2025》对集成电路关键装备的自主化要求，常州市政府将英诺激光列为“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”，提供税收优惠与研发补贴。
- 产学研合作：公司与南京大学、中科院苏州纳米所共建联合实验室，推动深紫外非线性光学晶体材料研发，解决高温晶体加热炉等“卡脖子”部件国产化问题。
四、市场影响与未来布局
1. 客户拓展
- 半导体业务客户包括日本SHI、美国AOC等全球头部设备厂商，2024年海外营收占比约10%。
- 国内已与上海微电子、中微公司（AMEC）等开展技术对接，目标2025年实现28nm深紫外激光器量产供货。
2. 技术迭代规划
- 短期（2025年）：完成千瓦级薄片超快激光器研发，瞄准EUV光刻机预脉冲光源市场。
- 长期（2026-2030年）：布局EUV光源系统，覆盖光刻机核心部件全链条。
五、科普：关键激光技术解析
1. 碳化硅退火激光器
- 作用：在SiC晶圆高温退火过程中，通过激光局部加热修复晶格缺陷，提升器件耐压性能。
- 技术难点：需精确控制激光能量密度（±1%波动）与扫描速度，避免材料过热破裂。
2. 深紫外激光器（266nm）
- 原理：通过四次谐波产生（1064nm→532nm→355nm→266nm）实现深紫外输出。
- 优势：相比传统准分子激光器（如248nm KrF），深紫外激光器波长更短、分辨率更高，可检测更小尺寸缺陷（<10nm）。
结论
英诺激光在第三代半导体退火装备与28nm深紫外激光器领域的突破，是国产高端激光设备从“跟跑”到“并跑”的标志性事件。其技术进展已获资本市场认可（2024年净利润同比激增585.24%），未来若实现规模化量产，将显著降低我国芯片制造对进口设备的依赖，助力半导体产业链安全。