珂玛科技：SiC 产业爆发中的 “卖铲者”，以核心零部件撬动多领域升级

一、行业背景：第三代半导体（SiC/GaN）进入爆发期，双引擎驱动需求井喷

1.第三代半导体 “三高一大” 特性：定义功率控制新标杆

第三代半导体（碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）并非替代硅基数字芯片，而是凭借 “三高一大” 核心特性，成为 “电能革命” 与 “能源效率革命” 的基石，精准匹配新能源、AI、新基建等国家战略方向：

高禁带宽度：SiC/GaN 禁带宽度远超硅材料，抗电场击穿能力提升 3-5 倍，可实现器件体积缩小 30%-50%、能源转换效率提升 10%-15%；

高击穿电场：器件厚度可减薄 50% 以上、掺杂浓度提升 2 倍，导通电阻降低 60%，显著减少导通损耗与发热量；

高饱和漂移速度：电子迁移速率达硅的 2-3 倍，开关速度提升 3-5 倍，适配 5G 基站、数据中心等高频场景；

高导热率（SiC 突出）：SiC 导热率为硅的 3-4 倍，