纳微半导体2026财年年报业绩会议总结
一、开场介绍
会议时间： 2026财年
主持人说明：
会议为Needham第28届年度增长会议的炉边谈话，由Needham and Company半导体分析师Quinn Bolton主持，聚焦纳微半导体的战略转型与市场机会。
管理层发言摘要：
Chris Allexandre（总裁兼首席执行官）：拥有25年半导体行业经验，曾任职于德州仪器（TI）、飞兆半导体（Fairchild）、瑞萨电子，负责功率部门期间接触氮化镓技术；强调加入公司后加速向高功率市场转型，聚焦客户需求与技术差异化。
二、财务业绩分析暂无信息
三、业务运营情况
分业务线表现
核心技术： 聚焦氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术，氮化镓已出货约3亿颗（650伏为主），碳化硅通过收购Genesic获得高压技术（1.2千伏及以上）；
市场调整： 淡化汽车领域（仅支持早期车载充电机客户，无长期路线图及研发投入）和消费类太阳能（转向基础设施级高电压应用），停止消费类移动产品资源投入。
市场拓展
目标客户： 超大规模数据中心、GPU公司、电网公司、工业企业等，覆盖现有及潜在客户；
代工厂合作： 与力积电合作生产100伏氮化镓产品；与格芯（GlobalFoundries）建立技术+制造合作，推进650伏及中低压氮化镓生产（2026年底投产，2027年主流生产）；碳化硅由XFAB（美国）代工。
研发投入与成果
技术进展： 发布中压氮化镓（100伏），计划向更低电压氮化镓（如20伏）和更高电压碳化硅（如3千伏）发展；即将发布第五代碳化硅产品，优化品质因数以降低成本；
系统能力： 积累氮化镓系统级实施经验，支持客户解决电磁干扰（EMI）、热损耗等问题。
四、未来展望及规划
短期目标（2026财年及之后）
加速“纳微2.0”战略，资源集中于高功率市场（AI数据中心、电网、计算、工业）；
推进与格芯合作，2027年完成从台积电到格芯的氮化镓产能过渡，保障客户平稳认证；
发布第五代碳化硅产品，提升数据中心电源供应单元（PSU）功率密度。
中长期战略
市场定位： 瞄准2030年约35亿美元总可服务市场（SAM），其中AI数据中心（14亿美元）和电网（10亿美元）为核心驱动，碳化硅与氮化镓各占17亿美元；
技术路线： 氮化镓向更低电压（覆盖数据中心次级侧）、碳化硅向更高电压（超高压电网应用）延伸，目标覆盖从电网到GPU的全功率转换链条；
增长预期： 当前SAM为几亿美元，2030年增长率达60%-75%。
五、问答环节要点
技术能力与客户反馈
客户认可氮化镓和碳化硅技术必要性，强调需快速转型以满足AI数据中心高功率、高密度需求；纳微半导体的系统级专业知识（如移动领域规模化经验）为核心竞争力。
“纳微2.0”战略与市场聚焦
战略核心：从消费类向高功率市场转型，重点为AI数据中心（800伏高压直流架构）、电网（固态变压器、电池储能）、计算（超高端笔记本/AIPC）、工业领域；
SAM规模：2030年35亿美元，其中AI数据中心（14亿美元，氮化镓10亿、碳化硅4亿）、电网（10亿美元）为主要构成。
技术采用挑战与竞争优势
氮化镓采用难点：开关频率高导致EMI和热损耗问题，需系统级设计支持；客户信心来自技术必要性（硅基无法满足AI需求）及纳微的经验积累；
竞争优势：规模小带来速度优势，无自有晶圆厂，依赖与代工厂合作（格芯、力积电）快速响应客户；资产负债表现金充足，保障客户信任。
数据中心与电网机会
数据中心：800伏高压直流架构以氮化镓为主（初级侧650伏、次级侧100伏及更低），传统AC-DC转换用1.2千伏碳化硅；每兆瓦氮化镓内容1-1.5万美元，碳化硅2-2.5万美元；
电网：固态变压器（2027年前部署支持数据中心）、电池储能系统为核心，碳化硅用于超高压（1.2千伏及以上）转换，SAM约10亿美元。
制造合作与产能规划
格芯合作：技术+制造长期合作，基于其基线技术开发中低压氮化镓，2026年底投产，2027年主流生产，2028-2029年完成台积电过渡；
力积电合作：聚焦100伏氮化镓产品，支持数据中心48伏降压应用。
六、总结发言
管理层明确未来发展方向：全面推进“纳微2.0”战略，资源集中于高功率市场（AI数据中心、电网、计算、工业），淡化汽车及消费类应用；
技术核心：以氮化镓和碳化硅为双引擎，向更低电压氮化镓（20伏）和更高电压碳化硅（3千伏）延伸，覆盖全功率转换链条；
竞争策略：依托速度优势和系统级专业知识，深化与格芯、力积电、XFAB等代工厂合作，保障产能与技术迭代；
长期目标：2030年实现35亿美元SAM，成为高功率半导体领域技术领导者。