2026 ISSCC明年2月举行,SK海力士14Gbps LPDDR6等将亮相

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来源:市场资讯

(来源:IT之家)

IT之家 11 月 25 日消息,2026 年度 IEEE ISSCC 国际固态电路会议将于明年 2 月 15~19 日在美国加州旧金山举行,集成电路学术和产业界的最新成果将在这次行业盛会上集中展示

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IT之家注意到,存储领域各大原厂将在该活动上展示一系列值得关注的内容:

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在 DRAM 内存底层架构方面,三星电子将带来以混合铜键合技术实现单元和外围堆叠的 VCT 垂直单元晶体管 4F2 立体构型设计 (15.10)。

在 LPDDR6 上,三星已宣布在明年初的 CES 上展出 12nm 制程的 10.7Gbps 版本,而 ISSCC 上则将有 16Gb 12.8Gbps 版本的介绍 (15.8);而 SK 海力士的 1cnm 工艺 16Gb 14.4Gbps LPDDR6 也将亮相 (15.7)。

SK 海力士的 48Gbps 高速 24Gb 大容量 GDDR7

来源:新浪财经

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