同步推进！士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目通线
士兰微(SH600460)
1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区举行8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式。
此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题。
据悉，项目实施主体为厦门士兰集宏半导体有限公司（简称“士兰集宏”），总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。
此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。
同日，士兰微12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工，项目两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。
士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。