中建三局承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）竣工

近日，中建三局承建的厦门士兰微（600460）8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）顺利竣工。

项目位于福建省厦门市海沧区，总建筑面积23.45万平方米，建设内容包括生产厂房、FA厂房、动力站、甲/乙/丙类化学品库、资源回收库、硅站、综合服务中心等12栋单体。此次竣工的一期项目聚焦8英寸SiC芯片制造，目前已初步通线，2026年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸碳化硅芯片，是2025年福建省及厦门市重点建设项目，也是全省最大的第三代碳化硅功率器件芯片生产基地。项目建成后，将有效填补国内在8英寸SiC芯片制造领域的产能缺口，增强我国高端功率半导体产业链的自主可控能力和供应链韧性，对推动区域经济转型升级、培育新质生产力具有重要战略意义。（中建三局供稿）

来源：同花顺财经

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