前言
碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体,在功率器件领域具备着更高的击穿电压、更大的电流承受能力和更宽的温度适应范围,且内阻温度漂移极小、热稳定性及可靠性远优于传统硅器件。
在传统工业级辅助电源中,往往需要双管反激拓扑来解决高母线电压下功率器件耐压不足的问题,导致成本升高,同时市面上方案通常为固定频率、无谷底导通,随着母线电压越高开关损耗越大;即使使用了 SiC 方案,通常需要加额外的 SiC 专用驱动芯片,还需要考虑上电时序等诸多问题,难以在小体积系统中集成。
在消费领域中,尤其是 PD 快充一直追求小体积、高集成度、高效率和低成本的应用场景,随着第三代半导体发展,国内已有直驱 GaN 方案,但面向消费级市场直驱 SiC 的专用控制器,国内还较为稀少。基于此,必易微近期全新推出了可直驱 SiC 的 PFC 控制器,省去专用驱动器与上电时序配套电路,让 BOM 更精简,同时把 SiC