芯导科技申请修调电路相关专利,修调电路无通信接口和时钟下最终测试修调

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芯导科技(SH688230)
   

来源:新浪证券-红岸工作室

2月14日消息,国家知识产权局信息显示,上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“修调电路、电子设备及存储介质”的专利。申请公布号为CN121531996A,申请号为CN202511374985.9,申请公布日期为2026年2月13日,申请日期为2025年9月24日,发明人朱同祥、符志岗、欧新华、袁琼,专利代理机构上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师张菁,分类号H10W20/49、H10B20/25。

专利摘要显示,本发明提供的一种修调电路、电子设备以及存储介质,包括:第一复用芯片引脚,用于接收第一控制信号,第一控制信号为高电平或低电平;熔丝模块,熔丝模块的输入端耦接第一复用芯片引脚,并且,基于第一控制信号,熔丝模块的输出端输出第一熔丝状态信号,第一熔丝状态信号用于表征熔丝模块中的第一熔丝是否熔断;第一读取模块,第一读取模块的采样端耦接熔丝模块的输出端,并且,基于第一熔丝状态信号,第一读取模块的输出端输出输出信号。从而本发明的修调电路实现了在没有通信接口和内部时钟的情况下,在最终测试阶段进行修调。

芯导科技成立于2009年11月26日,于2021年12月1日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于上海。该公司是国内功率半导体领域的领先企业,专注功率半导体研发与销售,技术实力强,产品具有较高市场竞争力。

芯导科技主营业务为功率半导体的研发与销售,所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件,所属概念板块包括无线耳机、智能手机、小米概念。

2025年,芯导科技营业收入3.94亿元,在行业排名第1(总家数1),与行业平均数、中位数持平。主营业务中,功率器件3.61亿元占比47.81%,功率器件:TVS2.22亿元占比29.38%等。净利润达1.06亿元,同样行业排名第1(总家数1),与行业平均数、中位数相同。

上海芯导电子科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1静电防护器件结构及其制备方法发明专利公布CN202511571936.42025-10-30CN121531787A2026-02-13吴中瑞、陈敏、欧新华、袁琼
2修调电路、电子设备及存储介质发明专利公布CN202511374985.92025-09-24CN121531996A2026-02-13朱同祥、符志岗、欧新华、袁琼
3屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511054162.82025-07-29CN120882048A2025-10-31魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼
4背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511000713.22025-07-18CN120854394A2025-10-28郭富饶、陈敏、欧新华、袁琼
5屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510992217.32025-07-17CN120751721A2025-10-03罗志永、陈敏、欧新华、袁琼
6高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510156412.22025-02-12CN119864781A2025-04-22周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼
7高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备及系统实用新型授权CN202520225410.X2025-02-12CN223829034U2026-01-23周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼
8电阻修调电路及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411985889.32024-12-31CN120074491A2025-05-30张葳、符志岗、朱同祥、欧新华、袁琼
9一种静电保护器件的制备方法及结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411928637.72024-12-25CN119947145A2025-05-06郭富饶、陈敏、吴中瑞、欧新华、袁琼
10一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、公布CN202411941642.12024-12-25CN120072774B2025-10-31符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼
11一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411894195.92024-12-20CN119420175B2025-06-10符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼
12一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411894195.92024-12-20CN119420175B2025-06-10符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼
13一种平面型碳化硅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411873260.X2024-12-18CN119907272A2025-04-29庞亚楠、陈敏、袁琼、史志扬、安原、高海杰、范莘培
14一种修调配置电路的版图结构、电子电路以及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411801807.52024-12-09CN119940269A2025-05-06朱同祥、符志岗、张葳、欧新华、袁琼
15恒功率PWM信号控制方法、功率电路、设备以及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411471899.52024-10-21CN119628610A2025-03-14周家豪、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥
16SGTMOS管的器件结构制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411442909.22024-10-15CN119603984B2025-09-26魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼、戴维
17SGTMOS管的器件结构制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411442909.22024-10-15CN119603984B2025-09-26魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼、戴维
18恒功率PWM信号控制方法、功率电路、设备以及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411315519.92024-09-19CN119382676A2025-01-28周家豪、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥
19内嵌MIM结构的ESD保护器件、制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411278936.02024-09-12CN119364859A2025-01-24陈敏、郭富饶、欧新华、袁琼、戴维
20一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法发明专利公布CN202411038270.12024-07-30CN118763074A2024-10-11陈敏、吴中瑞、欧新华、袁琼、戴维
21一种T型沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410535561.52024-04-29CN118630057A2024-09-10庞亚楠、陈敏、欧新华、史志扬、安原、高海杰
22浪涌防护芯片及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202410299443.92024-03-15CN117977517A2024-05-03张葳、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥
23浪涌防护芯片及系统实用新型授权CN202420503847.02024-03-15CN222673914U2025-03-25张葳、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥
24高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202410245652.52024-03-05CN117996710A2024-05-07周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼
25双向GaNHEMT器件与双向GaNHEMT器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410141423.92024-01-31CN118263295A2024-06-28庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、安原
26TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311607585.92023-11-28CN117612942A2024-02-27傅钢杰、陈敏、欧新华、袁琼、庞亚楠
27沟槽栅SiCMOSFET器件结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311438222.72023-10-31CN117457739A2024-01-26庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、孙国臻、安原
28一种GaNHEMT器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311183046.72023-09-13CN119698022A2025-03-25孙国臻、陈敏、欧新华、袁琼
29一种双电源供电电路、电子电路及设备实用新型授权CN202322466822.62023-09-11CN220985374U2024-05-17吴晨雨、刘宗金、夏杰、欧新华、袁琼
30低电容MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311007344.02023-08-10CN117038734A2023-11-10李艳旭、张凯凯、陈敏、欧新华、袁琼
31SiCMOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310980949.12023-08-04CN117012828A2023-11-07庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、戴维
32基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备实用新型授权CN202322087945.92023-08-04CN220775393U2024-04-12张葳、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
33电荷泵预充电电路及电子设备发明专利授权、公布CN202310927841.62023-07-26CN116865556B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
34电荷泵故障检测电路、检测方法及电子设备发明专利授权、公布CN202310931651.12023-07-26CN116908743B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
35电荷泵预充电电路及电子设备实用新型授权CN202321994309.82023-07-26CN220475611U2024-02-09邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
36电荷泵故障检测电路、充电插头、充电系统及电子设备实用新型授权CN202321987378.62023-07-26CN220473673U2024-02-09邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
37电荷泵故障检测电路、检测方法及电子设备发明专利授权、公布CN202310931651.12023-07-26CN116908743B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
38电荷泵预充电电路及电子设备发明专利授权、公布CN202310927841.62023-07-26CN116865556B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
39环境温度校准、测量装置以及系统实用新型授权CN202320377351.92023-03-01CN219657053U2023-09-08郁俊燕、陈敏、欧新华、袁琼、戴维、孙春明
40肖特基二极管及制作方法,以及电子设备及制作方法发明专利授权、公布CN202310046958.32023-01-31CN116072705B2025-08-26王莹、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明、李艳旭
41SGTmosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法发明专利授权、公布CN202211711010.72022-12-29CN116053313B2025-09-23李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明、王莹、庞亚楠
42MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备发明专利授权、公布CN202211464258.82022-11-22CN115763548B2025-08-29李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明
43SiCTrenchMOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法发明专利授权、公布CN202211464292.52022-11-22CN115910793B2025-09-23李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明
44高精度电流采集电路以及电子设备实用新型授权CN202222314438.X2022-08-31CN218240203U2023-01-06张葳、符志岗、邱星福、朱同祥、宁亚平、欧新华、袁琼
45高精度电流采集电路以及电子设备发明专利授权、公布CN202211055032.22022-08-31CN115267300B2025-07-22张葳、符志岗、邱星福、朱同祥、宁亚平、欧新华、袁琼
46公共交通扶手装置实用新型授权CN202221818212.72022-07-15CN219115302U2023-06-02吴晨雨、刘宗金、夏杰、吴佳、欧新华、袁琼
47GaN HEMT器件的栅极制作方法、栅极的结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202210809623.82022-07-11CN115332327A2022-11-11陈敏、戴维、欧新华、袁琼、符志岗、邱星福、朱同祥、孙春明
48一种TVS器件结构以及电子设备实用新型授权CN202221648372.12022-06-29CN218101272U2022-12-20刘宗金、夏杰、吴晨雨、吴佳、欧新华、袁琼
49开关频率控制电路发明专利实质审查的生效、公布CN202210550083.62022-05-20CN114977792A2022-08-30符志岗、欧新华、袁琼、戴维、邱星福、刘宗金、朱晓明
50开关频率控制电路实用新型授权CN202221216601.22022-05-20CN218648730U2023-03-17符志岗、欧新华、袁琼、戴维、邱星福、刘宗金、朱晓明

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来源:新浪财经

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