天岳先进取得碳化硅抛光工艺相关专利，激光剥离碳化硅减薄片串联抛光，解决多问题

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天岳先进(SH688234)
   

来源：新浪证券-红岸工作室

3月28日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺”的专利，授权公告号CN115971980B，授权公告日为2026年3月24日。申请公布号为CN115971980A，申请号为CN202211724363.0，申请公布日期为2026年3月24日，申请日期为2022年12月30日，发明人梁庆瑞、刘家朋、王含冠、王瑞、马立兴、宋生、宁秀秀、李霞、宋建、宗艳民、窦文涛，专利代理机构北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师刘晓佳，分类号B24B1/00、B23K26/36。

专利摘要显示，本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺，所述串联抛光工艺包括以下步骤：将激光剥离碳化硅减薄片依次进行i次抛光得到所需的抛光片；第i次抛光处理所得晶片的粗糙度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光垫的硬度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光液的pH比第i+1次小；其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。所述碳化硅减薄片顺次通过激光致裂剥离、减薄而得到。解决抛光片表面粗糙度高且均匀性差、划痕残留、加工效率低等问题。

天岳先进成立于2010年11月2日，于2022年1月12日在上海证券交易所上市，注册地址与办公地址均位于山东省济南市。公司是国内领先的碳化硅衬底生产商，具备核心技术优势，投资价值显著。

天岳先进主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料，属于大盘均衡、TMT、H股概念板块。

2025年，天岳先进营业收入达14.65亿元，在行业6家公司中排名第1，高于第二名上海合晶的13.11亿元，行业平均数为8.21亿元，中位数为7.32亿元。其主营业务中，碳化硅半导体材料收入12.25亿元，占比83.62%，其他(补充)收入2.4亿元，占比16.38%。不过，净利润为 - 2.09亿元，在行业中排名第6，行业第一名有研硅净利润2.46亿元，第二名上海合晶1.25亿元，行业平均数为6090.53万元，中位数为8931.32万元。

山东天岳先进科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种适用于硅碳负极的球形树脂小球及球形多孔碳及其制备方法发明专利授权CN202511632233.82025-11-10CN121076115B2026-02-24郭兆靖、梁庆瑞、宋福州、马健硕
2一种高耐压球形多孔碳及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511382485.X2025-09-25CN121342017A2026-01-16郭兆靖、宋福州、梁庆瑞
3一种n型碳化硅晶体及其液相生长方法发明专利公布CN202510946435.32025-07-09CN120945487A2025-11-14陈鹏磊、党一帆、刘鹏飞、朱灿、刘圆圆、高超
4一种氧化镓晶体向下生长的长晶装置及长晶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810956.62025-06-17CN120575323A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宋生
5一种顶部籽晶生长氧化镓单晶的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810955.12025-06-17CN120575322A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、高宇晗
6一种新型布里奇曼法氧化镓单晶生长用坩埚及生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810954.72025-06-17CN120591880A2025-09-05周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、赵树春
7一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510701883.72025-05-28CN120568822A2025-08-29刘硕、王旗、宋猛、热尼亚、王凯、靳婉琪、李香林
8一种低位错、高平整度的碳化硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510335295.62025-03-20CN120138807A2025-06-13王振行、赵建国、李昊、刘星、石志强、高宇晗、杨晓俐、高超
9一种低缺陷密度碳化硅晶体、衬底及生长装置、生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510122558.52025-01-26CN119824542A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、赵树春、高宇晗、宋建、周敏
10一种低基平面位错P型碳化硅晶体和衬底及生长设备、生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124261.22025-01-26CN119824545A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、窦文涛、张红岩、周敏、宋建、石志强
11小应力晶体和衬底及可控降温速度的晶体生长装置和晶体生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124260.82025-01-26CN119824544A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、石志强、宋建、周敏
12一种P型晶体及液相生长装置和液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124259.52025-01-26CN119824543A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、刘家朋、周敏、宋建、石志强
13一种长晶炉测温仪的校准检测装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510017290.92025-01-06CN119803729A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国
14一种高效长晶炉测温仪的校准检测方法、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202510017294.72025-01-06CN119803730A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国
15一种黑磷碳负极及其合成方法和合成设备、包括其的电池发明专利实质审查的生效、公布CN202510017292.82025-01-06CN119812276A2025-04-11郭兆靖、王瑞、宋福州、梁庆瑞
16一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758464.92024-12-03CN119372783A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、彭红宇、张红岩、朱智勇
17一种半导体单晶的液相生长设备和液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758461.52024-12-03CN119372759A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、陈鹏磊、周煜、刘硕
18一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758462.X2024-12-03CN119372760A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、王立凤、李印、马立兴
19一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411758469.12024-12-03CN119571461A2025-03-07党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、周煜、刘硕、王立凤、张红岩
20一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411758466.82024-12-03CN119615370A2025-03-14党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、张红岩、王立凤、王晓
21一种行星式旋转切割半导体的切割设备和切割方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411665032.32024-11-20CN119388604A2025-02-07张九阳、梁庆瑞、王瑞、李印、邵殿领、孙诗甫、薛港生
22一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411665030.42024-11-20CN119507050A2025-02-25张九阳、高超、彭红宇、张红岩、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪
23一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411665021.52024-11-20CN119507049A2025-02-25张九阳、高超、赵树春、李霞、张宁、刘圆圆、孟庆豪、王路平、周坤、刘浩
24一种精准定位开装的感应炉发明专利实质审查的生效、公布CN202411657186.82024-11-19CN119353918A2025-01-24张九阳、徐光明、王凯、彭红宇、李帅、孙元行、宋猛
25一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411657191.92024-11-19CN119507047A2025-02-25张九阳、高超、杨晓俐、高宇晗、舒天宇、方帅、宋猛、王宗玉
26一种石墨化碳纤维布发明专利实质审查的生效、公布CN202411657187.22024-11-19CN119528488A2025-02-28张九阳、宁秀秀、方帅、王宗玉、王路平、高宇晗、杨晓俐、徐光明
27一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411657189.12024-11-19CN119553368A2025-03-04张九阳、高超、张红岩、宁秀秀、舒天宇、赵树春、李霞、王路平、潘亚妮
28一种多炉台特殊气体综合利用设备实用新型授权CN202422696300.X2024-11-05CN223319575U2025-09-09李文强、张健、宋建、阴法波、周敏
29一种测温装置实用新型授权CN202422678993.X2024-11-04CN223691884U2025-12-19张健、张会安、王勃、卫照洋、宋建、周敏、赵树春、高立志、张长银、滕永懂
30一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411546268.52024-11-01CN119061481B2025-03-14宋猛、王振行、高超、王凯、薛成业、苗泽、许长波
31一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法发明专利授权、公布CN202411546269.X2024-11-01CN119041030B2025-04-18宋猛、杨晓俐、张九阳、许长波、徐光明、王凯、高超
32一种高温真空炉旋转主轴的电信号传递结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411483925.62024-10-23CN119321804A2025-01-17张健、宋建、马振华、程望、窦文涛、周敏、赵树春、高立志
33一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411417854.X2024-10-11CN119287518A2025-01-10高宇晗、高超、方帅、王路平、王宗玉、石志强、杨晓俐、宁秀秀
34一种碳化硅晶体循环生产过程中废弃物料自动铲凿装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411335517.62024-09-24CN119077989A2024-12-06宋建、张健、李文强、庞茂鑫、陈一栋、赵树春、周敏、薛传艺、窦文涛、高立志
35一种缝隙扳手实用新型授权CN202422144280.52024-09-02CN223466222U2025-10-24张会安、张健、宋建、周敏、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂
36一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标方法及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202411193279.X2024-08-28CN118848262A2024-10-29宋猛、俆光明、党一帆、王凯、王旗、刘硕、李祥皓、高超
37一种确定3C-SiC晶体晶向的方法及一种确定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打标方向的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411193290.62024-08-28CN119104579A2024-12-10宋猛、党一帆、王凯、王旗、俆光明、杨晓俐、刘硕、舒天宇、高超
38一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法发明专利公布CN202410997446.X2024-07-24CN118910714A2024-11-08党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈鹏磊、宋建、周敏、赵树春、赵建国
39一种新型碳化硅晶体生长坩埚实用新型授权CN202421404249.42024-06-19CN222809590U2025-04-29赵光利、史建伟、许登基、杨振鲁、袁祥瑞
40一种齿圈衬套内衬更换工装及更换设备实用新型授权CN202421153738.72024-05-24CN222289820U2025-01-03杨洋、刘乐乐、郑柯、宋健、周敏、赵树春、窦文涛、王雅儒、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂
41一种用于长晶炉感应线圈的升降装置及其安装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410640686.42024-05-22CN118497899A2024-08-16朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇
42一种用于长晶炉感应线圈的升降装置实用新型授权、公布CN202421130329.52024-05-22CN222274793U2024-12-31朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇
43一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件发明专利授权、公布CN202410586417.42024-05-13CN118147740B2024-08-13高超、高宇晗、杨晓俐、石志强、彭红宇、潘亚妮、方帅
44一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411279470.62024-05-13CN119121384A2024-12-13高超、石志强、杨晓俐、潘亚妮、高宇晗、方帅、彭红宇
45一种金刚石衬底的表面处理方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579028.92024-05-11CN118143760B2024-07-05王旗、刘硕、朱灿、马立兴、李硕、宋猛、王凯、徐光明、刘旭、隋晓明
46一种大尺寸金刚石的拼接生长方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579038.22024-05-11CN118147748B2024-07-19王旗、朱灿、宋猛、刘硕、王凯、党一帆、宋生、李霞、宁秀秀、张九阳、方帅
47一种单晶金刚石衬底的激光打标方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579037.82024-05-11CN118143453B2024-07-19王旗、马立兴、刘硕、邵殿领、王立凤、张林、王凯、宋猛、朱灿、隋晓明
48一种金刚石用抛光液及金刚石衬底的抛光方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579035.92024-05-11CN118165653B2024-07-19王旗、王立凤、刘硕、朱灿、马立兴、宋猛、李硕、邵殿领、李印、隋晓明
49一种金刚石晶体生长台阶流的预测方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579033.X2024-05-11CN118150621B2024-07-19王旗、宋猛、刘硕、朱灿、王凯、徐光明、宋生、赵树春、杨晓俐
50一种金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579029.32024-05-11CN118165701B2024-07-26王旗、王立凤、刘硕、朱灿、马立兴、张林、王凯、薛港生、李印、邵殿领、隋晓明

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来源：新浪财经

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