晶合集成申请半导体器件相关专利，半导体器件制备可减少湿法工艺致栅极受损

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晶合集成(SH688249)
   

来源：新浪证券-红岸工作室

3月27日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利。申请公布号为CN121728821A，申请号为CN202610226083.9，申请公布日期为2026年3月24日，申请日期为2026年2月26日，发明人刘苏涛、林士闵，专利代理机构重庆乐泰知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师刘念芝，分类号H10D84/01、H10D84/85。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。本发明之半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上形成有栅叠层；于栅叠层外侧形成第一侧墙及第二侧墙，所述第一侧墙的顶面高度低于所述栅叠层和第二侧墙的顶面高度，形成位于所述栅叠层和第二侧墙之间的第一凹陷部；引入光刻技术，于所述衬底上形成第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、源极区及漏极区，并执行湿法工艺去除残余光刻胶。本发明的半导体器件及其制备方法能够在制备过程中能显著减少湿法工艺引发的栅极受损问题。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。它是国内领先的12英寸晶圆代工企业，拥有先进工艺和技术壁垒，极具投资价值。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及安徽国资、大盘均衡、TMT等概念板块。

2025年，晶合集成营业收入达108.85亿元，行业排名3/4，低于第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹公司的172.91亿元，行业平均数为240.81亿元，中位数为140.88亿元。主营业务中，集成电路营收103.88亿元，占比95.43%，其他（补充）4.97亿元，占比4.57%。净利润为4.66亿元，行业排名3/4，低于第一名中芯国际的72.09亿元、第二名赛微电子的13.88亿元，行业平均数为20.64亿元，中位数为9.27亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610230677.72026-02-27CN121729066A2026-03-24盛云、高志杰、蔡宗佐、高佑琳
2半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610226083.92026-02-26CN121728821A2026-03-24刘苏涛、林士闵
3自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610214878.82026-02-14CN121712261A2026-03-20赵西连、李婷、蒋倩文
4一种结型场效应管及其制作方法发明专利公布CN202610209966.92026-02-13CN121712070A2026-03-20刘凯、北口裕久
5布线方法、装置、存储介质及芯片发明专利公布CN202610210041.62026-02-13CN121706718A2026-03-20陈星、郭军
6表单生成方法、表单生成系统、存储介质及程序产品发明专利公布CN202610203763.92026-02-12CN121680850A2026-03-17杨昆、崔洁、陈云、许紫璇
7一种抑制CIS暗电流的方法及CIS发明专利公布CN202610204137.12026-02-12CN121692822A2026-03-17陈铜、冯文辉
8MOSFET电流模拟模型的构建、模拟方法及相关装置发明专利公布CN202610195676.32026-02-11CN121683668A2026-03-17姚子凤、柯天麒、张立涛
9半导体器件的参数校准方法和制造方法发明专利公布CN202610197892.12026-02-11CN121683692A2026-03-17王磊、邓少鹏、汪文婷、刘波、魏港澳
10方块电阻预测模型训练方法及方块电阻预测方法发明专利公布CN202610200279.02026-02-11CN121724086A2026-03-24许可、陈健、邱茹蒙、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒
11一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610181967.72026-02-09CN121665627A2026-03-13刘洋、李琦琦
12高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法发明专利公布CN202610182773.92026-02-09CN121692729A2026-03-17刘凯、北口裕久、王维安、程洋
13一种键合结构及其制备方法发明专利公布CN202610180499.12026-02-09CN121693222A2026-03-17崔立加、余义祥、徐华超、王梦晴
14MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备发明专利公布CN202610170035.22026-02-06CN121659880A2026-03-13张立涛、方昕、张雅琳
15半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164443.72026-02-05CN121665622A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉
16半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164440.32026-02-05CN121665621A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉
17掩模板、图形形成方法及半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610149919.X2026-02-03CN121634685A2026-03-10桑华煜、汪华、程洋、代海坡
18一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610140150.52026-02-02CN121619943A2026-03-06王奎旭、胡薇、沈磊、高志杰、李涛
19一种掩模版的版图获取方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610140395.82026-02-02CN121613673A2026-03-06刘秀梅、罗招龙
20寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610142878.12026-02-02CN121619876A2026-03-06蔡承佑、丁美平、陆莹莹、宋伟政、石伟
21半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610142832.X2026-02-02CN121619891A2026-03-06李亮、高珊、张劲
22一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610132362.92026-01-30CN121604535A2026-03-03张振、刘哲儒、林豫立
23一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610130109.X2026-01-30CN121604493A2026-03-03朱丁盛、胡琪、秦绪威
24集成电路的电阻检查方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610129702.22026-01-30CN121615587A2026-03-06陈星
25一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610122489.22026-01-29CN121586286A2026-02-27李飞、董宗谕
26半导体测试结构及保护MOS管的选取方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610122111.22026-01-29CN121595927A2026-03-03张立涛、方昕、姚子凤、郑启涛
27一种图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610113824.22026-01-28CN121586309A2026-02-27刘琦、张昭、宋明明
28场板介质层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610117002.12026-01-28CN121619923A2026-03-06刘申婷、程洋
29一种图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610098801.92026-01-26CN121586305A2026-02-27郇小伟、蔡承佑
30一种半导体器件及制造方法发明专利公布CN202610092810.72026-01-23CN121559810A2026-02-24葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、吴昊
31一种半导体器件及制造方法发明专利公布CN202610092816.42026-01-23CN121559811A2026-02-24葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、吴昊
32环绕式栅极晶体管及其制备方法发明专利公布CN202610091098.92026-01-23CN121568400A2026-02-24刘洋、马梦辉、李琦琦、李婷、祝君龙
33LDMOS结构及LDMOS结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610090393.22026-01-23CN121586277A2026-02-27胡赵磊、王梦慧
34浅沟槽隔离结构及其制造方法发明专利公布CN202610086885.42026-01-22CN121548288A2026-02-17汪明星、李阳阳、高志杰、杨杰
35半导体测试结构及其测试方法发明专利公布CN202610083592.02026-01-22CN121568560A2026-02-24毛辰辰、王仲盛、董琳、姜攀
36一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610083937.22026-01-22CN121568429A2026-02-24金鑫、葛成海、熊鹏宇、林滔天
37半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610083772.92026-01-22CN121586284A2026-02-27汪明星、高志杰、李阳阳、杨杰
38一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构发明专利授权CN202610088108.32026-01-22CN121568565B2026-03-24朱海龙、罗承先、李嘉伦
39静电放电保护器件及芯片发明专利授权CN202610083935.32026-01-22CN121568436B2026-03-24朱晓萌、鲍贤贤
40机台传感器分级方法和基于传感器数据的机台管控方法发明专利公布CN202610069832.12026-01-20CN121542897A2026-02-17王思民、孙姗姗、谭柳娟、徐东东
41半导体器件的制造方法发明专利公布CN202610070340.42026-01-20CN121548071A2026-02-17孙铖、何守俊、武少杰、吴则贤、张启明
42半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610069536.12026-01-20CN121548100A2026-02-17崔立加、余义祥
43半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610073113.72026-01-20CN121548096A2026-02-17郭哲劭、赵丽娟、郭廷晃
44半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器发明专利公布CN202610064029.92026-01-19CN121548127A2026-02-17陈维邦
45一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统发明专利公布CN202610063657.52026-01-19CN121548237A2026-02-17沈娅、杨昱霖、许超、陈月月
46半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610063606.22026-01-19CN121548089A2026-02-17王小莉、郭哲劭、郭廷晃
47离子注入机发明专利实质审查的生效、公布CN202610056657.22026-01-16CN121528835A2026-02-13李军华、程挚
48一种半导体结构的异常现象的分析方法、系统和设备发明专利公布CN202610048972.02026-01-15CN121542487A2026-02-17张潇、萧礼明、蒋治纬、陈健
49电路版图的检查方法、装置、计算机设备和存储介质发明专利公布CN202610051290.52026-01-15CN121543542A2026-02-17郑凯哥、陈星、郭军、王阳阳
50一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610042817.82026-01-14CN121510656A2026-02-10名倉延宏

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来源：新浪财经

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