东微半导申请半导体器件相关专利，栅沟槽下方设n型掺杂区，改善开关栅压震荡
来源：新浪证券-红岸工作室
12月30日消息，国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体超结功率器件”的专利。申请公布号为CN121240495A，申请号为CN202411330233.8，申请公布日期为2025年12月30日，申请日期为2024年9月24日，发明人王鹏飞、缪进征、王睿、袁愿林，专利代理机构北京品源专利代理有限公司，专利代理师孔凡红，分类号H10D30/66、H10D62/10、H10D64/27。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体超结功率器件，包括：n型半导体层；位于所述n型半导体层底部的n型漏区；位于所述n半导体层内的若干个依次排列的p型柱；位于所述n型半导体层的顶部且位于所述p型柱上方的第一p型体区，所述第一p型体区内设有n型源区；相邻的所述第一p型体区之间设有至少一个栅沟槽，所述栅沟槽凹陷在所述n型半导体层内，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅电极；位于所述n型半导体层内且位于所述栅沟槽下方的n型掺杂区。通过在栅沟槽下方形成n型掺杂区，能够使得小漏源电压下的栅漏电容增大，改善超结功率器件在开关时的栅极电压震荡。
东微半导于2008年9月12日成立，2022年2月10日在上海证券交易所上市，注册地及办公地均为江苏省苏州市。它是国内领先的高性能功率半导体厂商，在高压超级结MOSFET等产品上具备较强技术壁垒。
东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及比亚迪概念、机器人概念、充电桩等概念板块。
2025年三季度，东微半导营业收入达9.64亿元，在行业18家公司中排名第10，远低于第一名闻泰科技的297.69亿元和第二名士兰微的97.13亿元，也低于行业平均数33.04亿元和中位数9.73亿元。净利润为4089.69万元，行业排名11，与第一名闻泰科技的15.05亿元和第二名扬杰科技的9.65亿元差距明显，低于行业平均数2.23亿元和中位数6471.38万元。
苏州东微半导体股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种IGBT器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510964353.1 | 2025-07-14 | CN120857530A | 2025-10-28 | 刘伟、林敏之 |
| 2 | IGBT器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510964367.3 | 2025-07-14 | CN120857531A | 2025-10-28 | 刘伟、林敏之 |
| 3 | 半导体器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510451624.3 | 2025-04-11 | CN120282464A | 2025-07-08 | 刘伟、王鹏飞、陈鑫 |
| 4 | 一种IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411371344.3 | 2024-09-29 | CN119230399B | 2025-03-11 | 刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊 |
| 5 | IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411371340.5 | 2024-09-29 | CN119230398B | 2025-05-23 | 刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊 |
| 6 | IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411371352.8 | 2024-09-29 | CN119230400B | 2025-10-17 | 刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊 |
| 7 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 公布 | CN202411330233.8 | 2024-09-24 | CN121240495A | 2025-12-30 | 王鹏飞、缪进征、王睿、袁愿林 |
| 8 | 一种IGBT器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410911946.7 | 2024-07-09 | CN118866946A | 2024-10-29 | 王鹏飞、林敏之 |
| 9 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410120811.9 | 2024-01-29 | CN120435042A | 2025-08-05 | 王鹏飞、范让萱 |
| 10 | 一种IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311106025.5 | 2023-08-30 | CN119562568A | 2025-03-04 | 刘磊、王鹏飞 |
| 11 | 一种IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311105888.0 | 2023-08-30 | CN119562567A | 2025-03-04 | 刘磊、王鹏飞 |
| 12 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310715907.5 | 2023-06-16 | CN119153497A | 2024-12-17 | 王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征 |
| 13 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310715908.X | 2023-06-16 | CN119153498A | 2024-12-17 | 王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征 |
| 14 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202310367493.1 | 2023-04-07 | CN118782646A | 2024-10-15 | 刘磊、王鹏飞 |
| 15 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211651724.3 | 2022-12-21 | CN118231464A | 2024-06-21 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 16 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211649969.2 | 2022-12-21 | CN118231446A | 2024-06-21 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 17 | 半导体功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211652272.0 | 2022-12-21 | CN118231465A | 2024-06-21 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 18 | 半导体功率器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211271548.0 | 2022-10-18 | CN117954490A | 2024-04-30 | 王鹏飞、毛振东、范让萱 |
| 19 | 半导体超结功率器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211271803.1 | 2022-10-18 | CN117954491A | 2024-04-30 | 王鹏飞、袁愿林、王睿、刘磊、缪进征 |
| 20 | 氮化镓器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210960844.5 | 2022-08-11 | CN117637832A | 2024-03-01 | 王鹏飞、林敏之、刘磊 |
| 21 | 半导体功率器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210544438.0 | 2022-05-18 | CN117133643A | 2023-11-28 | 缪进征、王鹏飞、范让萱 |
| 22 | 氮化镓HEMT器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210551950.8 | 2022-05-18 | CN117133794A | 2023-11-28 | 王鹏飞、林敏之、刘磊 |
| 23 | 半导体功率器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210539346.3 | 2022-05-17 | CN117116976A | 2023-11-24 | 王鹏飞、毛振东、范让萱 |
| 24 | 半导体功率器件的制造方法及器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210539330.2 | 2022-05-17 | CN117116748A | 2023-11-24 | 王鹏飞、毛振东、范让萱 |
| 25 | IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210367143.0 | 2022-04-08 | CN116936357B | 2025-10-03 | 刘伟、王鹏飞、刘磊、龚轶 |
| 26 | IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210367143.0 | 2022-04-08 | CN116936357B | 2025-10-03 | 刘伟、王鹏飞、刘磊、龚轶 |
| 27 | IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202210366889.X | 2022-04-08 | CN116936626B | 2025-11-28 | 范让萱、缪进征、王鹏飞、刘磊、龚轶 |
| 28 | 半导体二极管及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210363432.3 | 2022-04-07 | CN116936603A | 2023-10-24 | 王鹏飞、王睿、林敏之、刘磊、龚轶 |
| 29 | 半导体功率器件 | 实用新型 | 授权 | CN202220614408.8 | 2022-03-21 | CN217037151U | 2022-07-22 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 30 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210280761.1 | 2022-03-21 | CN116825828A | 2023-09-29 | 范让萱、缪进征、王鹏飞 |
| 31 | 碳化硅器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210282247.1 | 2022-03-21 | CN116825621A | 2023-09-29 | 范让萱、缪进征、王鹏飞 |
| 32 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210281110.4 | 2022-03-21 | CN116825829A | 2023-09-29 | 王鹏飞、刘磊、袁愿林、王睿 |
| 33 | 半导体功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210279749.9 | 2022-03-21 | CN116827322A | 2023-09-29 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 34 | 碳化硅二极管及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210276766.7 | 2022-03-21 | CN116825803A | 2023-09-29 | 范让萱、缪进征、王鹏飞 |
| 35 | 碳化硅器件终端结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210281170.6 | 2022-03-21 | CN116825804A | 2023-09-29 | 范让萱、缪进征、王鹏飞 |
| 36 | 半导体二极管 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202111611956.1 | 2021-12-27 | CN116364748A | 2023-06-30 | 刘磊、刘伟、袁愿林、王睿 |
| 37 | IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202111576883.7 | 2021-12-22 | CN116344573A | 2023-06-27 | 林敏之、刘伟、刘磊、袁愿林 |
| 38 | IGBT器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202111561080.4 | 2021-12-15 | CN116264244B | 2024-12-24 | 刘伟、林敏之、袁愿林、王睿 |
| 39 | IGBT器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202111534459.6 | 2021-12-15 | CN116264242B | 2025-09-12 | 林敏之、刘磊、刘伟、袁愿林 |
| 40 | 半导体功率器件 | 实用新型 | 授权 | CN202122841877.1 | 2021-11-19 | CN216250731U | 2022-04-08 | 龚轶、刘磊、刘伟、袁愿林 |
| 41 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202111359722.2 | 2021-11-17 | CN116137289A | 2023-05-19 | 刘磊、刘伟、袁愿林、王睿 |
| 42 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202111359631.9 | 2021-11-17 | CN116137282A | 2023-05-19 | 刘伟、刘磊、袁愿林、王睿 |
| 43 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202111359635.7 | 2021-11-17 | CN116137283B | 2025-09-12 | 刘伟、刘磊、袁愿林、王睿 |
| 44 | 半导体功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202111170049.8 | 2021-10-08 | CN115966590A | 2023-04-14 | 刘磊、刘伟、袁愿林、王睿 |
| 45 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202111128640.7 | 2021-09-26 | CN115881791A | 2023-03-31 | 刘磊、刘伟、袁愿林、王睿 |
| 46 | IGBT功率器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布 | CN202111129891.7 | 2021-09-26 | CN115881762A | 2023-03-31 | 林敏之、刘伟、袁愿林、刘磊 |
| 47 | 半导体功率器件及其控制方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202110788277.5 | 2021-07-13 | CN115621313A | 2023-01-17 | 龚轶、毛振东、徐真逸、刘伟 |
| 48 | 半导体器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202110525263.4 | 2021-05-11 | CN115332263A | 2022-11-11 | 龚轶、毛振东、徐真逸、刘磊 |
| 49 | 半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202110195555.6 | 2021-02-19 | CN114975577B | 2025-07-29 | 龚轶、刘伟、刘磊、王睿 |
| 50 | 半导体器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202110195555.6 | 2021-02-19 | CN114975577B | 2025-07-29 | 龚轶、刘伟、刘磊、王睿 |
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