中微公司取得静电吸附装置相关专利，静电吸附装置可吸附腔内物并降低成本

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中微半导(SH688380)
   

来源：新浪证券-红岸工作室

2月14日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种静电吸附装置及其所在的基片处理系统”的专利，授权公告号CN115410972B，授权公告日为2026年2月13日。申请公布号为CN115410972A，申请号为CN202110591882.3，申请公布日期为2026年2月13日，申请日期为2021年5月28日，发明人裴江涛、张辉，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师包姝晴、张妍，分类号H10P72/72、H10P72/00、H01J37/32。

专利摘要显示，本发明公开了一种静电吸附装置及其所在的基片处理系统，所述静电吸附装置包括装置本体以及位于装置本体内的静电产生模块与静电控制模块；所述静电产生模块用于产生静电，所述静电控制模块用于控制所述静电产生模块是否产生静电以及所产生静电的大小；所述静电吸附装置的底部设置有绝缘部件。本发明的静电吸附装置可产生静电真空反应腔内的吸附边缘环或颗粒物，实现在不打开真空反应腔的情况下更换受损耗的边缘环或移除真空反应腔内的颗粒物。此外，静电吸附装置底部的绝缘部件，可以提高静电吸附装置吸附边缘环时的静电吸附力，从而减小了静电吸附装置的运行成本。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62236.3735万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目79次，财产线索方面有商标信息109条，专利信息1641条，拥有行政许可77个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平
2反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强
3基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
4基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
5一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅
6一种掩膜结构形成方法发明专利公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海
7掩膜结构及其形成方法发明专利公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海
8一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙
9一种环组件及成膜装置实用新型授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟
10一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟
11一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟
12一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强
13一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备实用新型授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强
14一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强
15一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫
16一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬
17一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬
18一种隔离结构及化学气相沉积装置实用新型授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开
19一种化学气相沉积装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510073813.12025-01-16CN119932527A2025-05-06张辉、姜银鑫、姜勇
20缓冲装置实用新型授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业
21一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉
22一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪
23化学气相沉积设备实用新型授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远
24一种晶圆承载组件及半导体处理设备实用新型授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋
25一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军
26一种用于气柜可燃性测试的系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411980652.62024-12-30CN119375415A2025-01-28王治平、宋飘、宋常征、权汉钊
27一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军
28一种半导体工艺平台实用新型授权CN202423296470.52024-12-30CN223660196U2025-12-12陶珩、何伟业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊
29一种半导体处理设备及其固态前驱体输送系统和输送方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411947571.62024-12-26CN119372628B2025-03-18庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫
30一种用于半导体处理设备的气体输送装置和气体通路模块实用新型授权CN202423230256.X2024-12-25CN223524974U2025-11-07姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫
31晶圆托盘外观专利授权CN202430820667.02024-12-24CN309541504S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇
32晶圆托盘外观专利授权CN202430817296.02024-12-23CN309541503S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇
33一种沉积金属氮化物的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411897577.72024-12-20CN120193249A2025-06-24沈成绪、许灿、高烨、陈宇畅、刘鹏杰、杨闰清
34气体喷淋头、喷淋头组件以及化学气相沉积装置实用新型授权CN202423152151.72024-12-19CN223780356U2026-01-09陈佳波、徐立、吴红星、吕术亮、李雪子
35等离子体处理设备实用新型授权CN202423135658.12024-12-18CN223665407U2025-12-12王许、朱永成、李琳、王智昊
36机械臂及半导体设备零件的洁净度原位检测系统实用新型授权CN202423135638.42024-12-18CN223657031U2025-12-12孙祥、刘若晨
37一种半导体处理设备及其多区加热板和多区温控驱动方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411825844.X2024-12-11CN119835809A2025-04-15张辉、姜银鑫、杜冰洁
38一种气路加热模组实用新型授权CN202422993593.82024-12-04CN223528230U2025-11-07毛绪光、吴红星、李远
39一种真空平台实用新型授权CN202422993652.12024-12-04CN223535207U2025-11-11刘雯伊、王能语、刘学滨
40锁扣组件和反应腔实用新型授权CN202422980570.32024-12-03CN223535206U2025-11-11黄稳、姜勇
41流量校准仪外观专利授权CN202430745159.02024-11-25CN309427817S2025-08-08段国安、连增迪、钟水苗、徐扬、倪图强
42等离子体处理装置发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411668534.12024-11-20CN119170474B2025-02-14张一川、田宁、叶如彬
43下电极组件及等离子体处理设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411660380.12024-11-19CN119170554B2025-07-08田宁、叶如彬
44下电极组件及等离子体处理设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411660380.12024-11-19CN119170554B2025-07-08田宁、叶如彬
45半导体处理设备及其直流电压信号控制系统发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411629639.62024-11-14CN119182310B2025-09-16倪图强、卢明、李博睿
46半导体处理设备及其直流电压信号控制系统发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411629639.62024-11-14CN119182310B2025-09-16倪图强、卢明、李博睿
47一种集成式匹配器系统及半导体处理装置实用新型授权CN202422709197.82024-11-06CN223527122U2025-11-07范宏宇、李宝琛
48防止下电极组件发生电弧放电的方法及等离子体处理设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411561997.82024-11-04CN119069332B2025-03-04田宁、叶如彬、刘志强
49气体分配盒及气相沉积设备实用新型授权CN202422687373.22024-11-04CN223433539U2025-10-14张海龙、胡玲钢、莱纳德·刘、王璐瑛
50一种清洁半导体零部件的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411474501.32024-10-21CN119426243A2025-02-14梁重时、丛海、朱俊麒

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来源：新浪财经

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