欣锐科技：公司在第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）方向已积累了深厚的开发经验
欣锐科技(SZ300745)
同花顺（300033）金融研究中心09月19日讯，有投资者向欣锐科技（300745）提问， 欣锐科技在新能源汽车800V高压平台领域的技术领先性有目共睹，全球超算中心正从48V向高压液冷架构升级（如英伟达GB200需120kW/机柜供电），贵司800V技术已实现：＞96%转换效率（工信部检测报告编号JX2023-XXXX）30kW/m 功率密度（专利CN202310XXXXXX液冷设计）10kV电气隔离能力是否具备满足超算中心＂高压直转+液冷散热＂双重需求的技术基础？
公司回答表示，尊敬的投资者，您好！公司一直以来都致力于电力电子技术的研究与开发，公司在新能源车载电源、DCF、超充等大功率电力电子领域积累了丰富的技术优势（成熟的液冷热管理技术、高功率密度设计与高可靠性能力），在第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）方向已积累了深厚的开发经验，全面将碳化硅（SiC）模组应用于车载电源产品，实现基于双向氮化镓（GaN）器件的单级矩阵变换器拓扑（双向）量产技术,在相关技术和工艺上具备成熟的经验。公司的大功率电力电子能量变换技术具有丰富的应用场景。我们的技术具备一定的通用性和扩展性，能够适应多种电力电子能量变换的需求。伴随电力电子产业的持续发展，公司将持续关注行业动态，并积极探索新技术和新市场的应用可能性。感谢您的关注！
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