拓荆科技

265.00
-12.68
-4.57%
SH688072
 275.00 267.00 950.63万总市值 745.08亿
 263.00 3.38% 25.50亿市盈TTM 114.04
分时
5日
日K
周K
月K
季K
年K
  • MA
  • BOLL
  • 成交量
  • MACD
  • KDJ
  • RSI
  • WR
  • BIAS
  • CCI
  • PSY

公司简介

拓荆科技股份有限公司的主营业务是高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司的主要产品是等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)、原子层沉积设备(ALD设备)、次常压化学气相沉积设备(SACVD设备)、高密度等离子体化学气相沉积设备(HDPCVD设备)、流动性化学气相沉积设备(FlowableCVD设备)。公司通过自主研发,形成了一系列独创性的设计,构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至报告期末,公司累计申请专利1783项(含PCT),获得授权专利581项,其中发明专利294项。公司先后承担了多项国家重大专项/课题,研发并推出的基于不同平台类型且支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和FlowableCVD薄膜系列设备均已在客户端实现量产,在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术,构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台,性能达到了国际同类设备水平,并持续迭代升级产品性能,快速响应客户先进技术需求。

公司名称
拓荆科技股份有限公司
所属地区
辽宁省
所属行业
半导体
企业性质
民营企业
董事长
吕光泉
董秘
赵曦
法人代表
刘静
总经理
刘静
员工人数
1569
高管人数
18
成立日期
2010-04-28
注册资本(CNY)
2.81亿

主要指标(CNY)2025中报

市盈率(TTM)
114.04
市净率
13.70
股息(TTM)
0.27
股息率(TTM)
0.10%
每股收益
0.34
每股净资产
19.35
营业收入
19.54亿
营收同比
54.25%
净利润
9428.80万
净利润同比
-26.96%
净资产收益率
1.76%
资产负债率
69.09%
质押比例
--
商誉/净资产
--